[VIP第1年] 指数:3
设计整流器时应计算“整流变压器”的相间短路电流，并按此电流选用具有足够分断能力的快速熔断器。分断能力不足的快速熔断器会持续燃弧直，严重时会导致交直流短路，故额定分断能力是一个安全指标。另外，产品制造的分散性也是影响分断能力的因素之一。易于忽视的问题是在短路故障时线路的功率因数，因为在快速熔断器分断时所产生的电弧能量的大小与电路感抗的大小有很大的关系，当线路功率因数cosφ＜。快速熔断器分断时的能量Wo=Wa+Wr+W1式中：Wa---电弧能量；Wr---电阻消耗能量；W1---线路电感释放的能量。在分断能力满足“整流器”的要求时，还要注意分断瞬间电弧电压峰值（标准中称为“暂态恢复电压”）不能过高，要在快速熔断器制造时予以限制，使其低于半导体器件所能承受的大值，否则半导体器件将会损坏。故分断时间短的熔断器不一定适用。当快速熔断器用于直流电路中时，因为在直流分断过程中不存在电压的过零点，这对快速熔断器的可靠分断是一个苛刻的条件，所以一般情况下快速熔断器若用在直流电路中只能用到快速熔断器额定电压的60%，好选用直流快速熔断器。I2t的选择熔断器的熔断时间t与熔断电流I的大小有关，其规律是与电流的平方成反比。由于各种电器设备。
对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃，在燃弧过程中电流由限流值降至零，此阶段的I2t即为熔断I2t，它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。在设计快速熔断器时，为满足半导体器件不断提高的额定电流，要采取许多措施，而不能简单地用算术方法来选择快速熔断器。实验证明，当额定电流增加1倍时，快速熔断器的I2t值是原来的4倍，而半导体器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔断器降低I2t值有较大的难度，只有多方面采取措施，如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧能力等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。绝缘电阻快速熔断器分断后的绝缘电阻的指标由经验证明是很重要的。20世纪90年代大量的产品中加入了钾盐、钠盐，钠盐可以提高电弧栅的分断能力。而制造较差的快速熔断器分断后绝缘电阻大多低于Ω，甚至有漏电现象，特殊情况下切断故障后经一段时间又重燃，这将引起更大的故障。质量好的快速熔断器（加入了钾盐、钠盐）分断后应形成Ω以上的绝缘电阻。快速熔断器在分断10min后能达到大于1～30MΩ的绝缘电阻，可认为有良好的可靠性。另外，使用快速熔断器时还要考虑其寿命及可靠性。
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