[VIP第1年] 指数:3
对于每一种材料它是一个常数。当熔体金属变为蒸气时电弧始燃，在燃弧过程中电流由限流值降至零，此阶段的I2t即为熔断I2t，它是一个变量。这一过程主要依靠填料被腐蚀而吸收能量。在设计快速熔断器时，为满足半导体器件不断提高的额定电流，要采取许多措施，而不能简单地用算术方法来选择快速熔断器。实验证明，当额定电流增加1倍时，快速熔断器的I2t值是原来的4倍，而半导体器件I2t值的增加要小的多。要使快速熔断器降低I2t值有较大的难度，只有多方面采取措施，如合理的熔片分布、缩短熔体长度、减小电弧栅和提高灭弧材料的熄弧能力等。I2t值是精选快速熔断器的重要指标之一。绝缘电阻快速熔断器分断后的绝缘电阻的指标由经验证明是很重要的。20世纪90年代大量的产品中加入了钾盐、钠盐，钠盐可以提高电弧栅的分断能力。而制造较差的快速熔断器分断后绝缘电阻大多低于Ω，甚至有漏电现象，特殊情况下切断故障后经一段时间又重燃，这将引起更大的故障。质量好的快速熔断器（加入了钾盐、钠盐）分断后应形成Ω以上的绝缘电阻。快速熔断器在分断10min后能达到大于1～30MΩ的绝缘电阻，可认为有良好的可靠性。另外，使用快速熔断器时还要考虑其寿命及可靠性。
完成熔断器30和安装盖20的装配，此时，安装盖20的定位外沿24完全贴合所述容纳腔101内壁，连接结构更稳固，密封性也更好。本实施例中，所述安装盖20的表面设置有用于连接外部工具的连接部，该连接部作为一处施力点，便于向安装盖20施力进而拔出。具体的，所述连接部为连接孔22，通过绳索或其他工具穿设于连接孔22内，然后再施力向外拉，即可将安装盖20和熔断器30拔出，操作简便，且连接部的结构简单。再具体的，所述安装盖20的表面具有相背设置的让位缺口231，二让位缺口231之间形成连接筋232，所述连接孔22设置于连接筋232上并贯通二让位缺口231，绳索或其他工具通过其中一个让位缺口231处穿设连接孔22至另一个让位缺口231，便于操作，且无需额外增加安装盖的结构，整体结构简便，体积小。当然的，在其他实施例中，连接部的结构也不局限于此，在整体布局空间允许的情况下，也可以直接设置成手柄结构等等。本实施例中，所述连接部(即连接孔22)与固定环21同侧设置，即本实施例中连接孔22与固定环21均设置在靠近安装盖20的第二端部的位置，受力更好。继续参照图7所示，本实施例还提供一种高压接触器，包括机架1以及设置在机架1上的至少一组开关机构。
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