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半导体元件保护选择快速熔断器。根据负载特性选择熔断器的额定电流。选择各级熔体需相互配合，后一级要比前一级小，总闸和各分支线路上电流不一样，选择熔丝也不一样。根据线路电压选择熔断器的额定电压。交流异步电机保护熔体电流不能选择太小（建议2~）。如选择过小，易出现一相熔断器熔断后，造成电机缺相运转而烧坏，必须配套热继电器作过载保护。熔断器的保护类型一个字母表明熔断范围g表示是全范围熔断容量的熔断器;a表示是部分范围熔断容量的熔断器。第二个字母表明应用类别，这个字母准确说明了时间电流特性，常规的时间和电流。G表示配电系统电缆导线保护M表示电动机回路保护L电缆和导线保护R半导体保护举例：gG表示通用的全范围熔断容量的熔断器；gM表示用于保护电动机电路的全范围熔断容量的熔断器；aM表示用于保护电动机电路的部分范围熔断容量的熔断器。
所选择的熔断器的额定电流不得小于电容器额定电流的。END半导体器件保护熔断器选用额定电压：快速熔断器的额定电压UN应稍大于快速熔断器熔断后两端出现的故障电路的外加交流电压。若半导体设备的负荷是有源逆变器、逆变型制动的电动机等逆变型负载时，应考虑半导体器件失控等引起设备直流侧短路的可能性，此时快速熔断器熔断时，熔片两端交流电压与直流电压叠加现象，快速熔断器的额定电压应按下式计算：UN≥Uac+Udo×1/√2式中：Uac：快速熔断器熔断后外加交流电压;Udo：半导体设备负载端逆变型直流电压。额定电流：熔断器的额定电流INF是以电路中实际流过熔断器的电流有效值IF为基础，并考虑环境温度、冷却条件、电流裕度等因素影响进行计算。INF≥K×IF式中：K值一般可取。对于自冷式熔断器K取较大值，尤其对熔断器两端连接导线特别短的电路，需取最大值;对水冷式熔断器K取较小值。快速熔断器选用额定电流过大势必增加熔断器的I2tF值，对半导体器件的保护是有害的。分断I2t：当半导体器件与快速熔断器串联工作时，半导体器件允许通过的I2tD值应大于快速熔断器的I2tF值，不然熔断器熔断时，器件也被烧损。二者关系应满足：I2tF≤。分断过电压：熔断器在减弧过程中。
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