[VIP第1年] 指数:3
或进行强制风冷来控制温升使之保持电流通过能力。整流器中快速熔断器接头处的连接状况直接影响着快速熔断器的温升和可靠运行，为此必须保持接触面的平整和清洁。如无镀层的母排的接触面要去除氧化层，安装时给予规定的压紧力，好使接触面产生弹性变形。并联的快速熔断器要求逐个检测接触面的压降。快速熔断器的温升与功耗快速熔断器的功耗W=ΔUIw；ΔU=f(Iw)式中：Iw---工作电流；ΔU---快速熔断器的压降。快速熔断器的功耗与其冷态电阻有很大的关系，选用冷态电阻较小的快速熔断器有利于降低温升，因为电流通过能力主要受温升限制。如前所述，快速熔断器接头处的连接状况也影响着快速熔断器的温升，要求快速熔断器接头处的温升不应影响其相邻器件的工作。实验证明，快速熔断器的温升低于80℃时可以长期运行，温升100℃时制造工艺稳定的产品仍能长期运行，温升120℃是电流通过能力的临界点，若温升达到140℃时，快速熔断器不能长期运行。目前，化工行业一般采用水冷母排和风冷方式来降低快速熔断器的温升。水冷母排尤其对低电压规格的快速熔断器如400～600V效果更佳。快速熔断器端子与水冷母排连接端温差一般在～℃。许多大功率快速熔断器是按水冷条件设计的，所以。
附图说明图1所示为实施例中熔断器装置在完成装配状态的外观示意图；图2所示为实施例中熔断器装置的结构分解示意图；图3所示为实施例中安装盖和熔断器的装配结构示意图；图4所示为图3所示结构的分解示意图；图5所示为实施例中安装盖的结构示意图；图6所示为实施例中熔断器装置在拆卸过程中的结构示意图；图7所示为实施例中高压接触器的结构示意图。具体实施方式为进一步说明各实施例，本发明提供有附图。这些附图为本发明揭露内容的一部分，其主要用以说明实施例，并可配合说明书的相关描述来解释实施例的运作原理。配合参考这些内容，本领域普通技术人员应能理解其他可能的实施方式以及本发明的优点。图中的组件并未按比例绘制，而类似的组件符号通常用来表示类似的组件。现结合附图和具体实施方式对本发明进一步说明。参照图1至图6所示，本实施例提供的一种熔断器装置，包括安装筒10、安装盖20和熔断器30，所述安装筒10具有一容纳腔101以及开设于该安装筒10侧壁并连通容纳腔101的侧向安装开口102，形成敞开式结构，所述容纳腔101内设有二接线座11、12。所述熔断器30为现有柱状结构的熔断器。
江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
文章来源地址: http://dzyqj.chanpin818.com/bhqj/zhfrdq/deta_21373674.html
免责声明： 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息，均来源于其对应的用户，本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题，请及时与本网联系，我们将核实后进行删除，本网站对此声明具有最终解释权。
