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造成霍尔开关失效的常见原因有哪些？我们在使用霍尔开关的过程中经常会遇到霍尔工作了一段时间之后就停止工作的情况，山东HX248R霍尔开关，这时，霍尔芯片可能是被损坏了，那是什么原因导致的呢？可以从以下几个方面来入手分析检测：1.首先检查外部电路，是否有虚焊漏焊的情况造成短路、断路的现象。2.开关类的霍尔一般都需要外接一个上拉电阻才可以正常工作，检查下电阻是否正常，山东HX248R霍尔开关。3.单独检查下磁铁，有些磁铁存在时间过长使磁铁消磁，导致霍尔感应不到，山东HX248R霍尔开关，无法正常工作。（注：霍尔与磁铁之间有阻隔也会减弱磁场）4.是否超出了霍尔本身的温度范围，温度过高会导致霍尔损坏，也会导致磁铁消磁。5.检查电压、电流是否稳定，是否在霍尔参数规定范围内，偏上限或下限会造成霍尔不稳定，超出参数范围会导致霍尔被瞬间击穿造成损坏。 华芯十六年专业做霍尔元件,量大从优!为客户提供质量的产品,专业的技术支持及完善的服务!山东HX248R霍尔开关
线性霍尔电路由霍尔开关、差分放大器和射极跟随器组成。其输入是磁感应强度，输出是和输入量成正比的电压。这类电路有很高的灵敏度和优良的线性度，适用于各种磁场检测。
线性霍尔开关的特点：
1、体积小、精确度高；2、灵敏度高、线性度好；3、温度稳定性好、可靠性高
线性霍尔一些应用领域：
1、电流传感器；2、电源感应 、磁（偏）传感应用、黑色金属探测器、接近传感器、液**置传感器。
线性霍尔电路注意事项；1 安装时要尽量减少施加在电路外壳或引线上的机械应力。；2 焊接温度要低于260℃，时间小于5秒。；3若以N极从背面接近霍尔电路，输出电压减小，S极从背面接近，输出增加；若从正面接近，输出状态与从背面接近正好相反。 山东HX248R霍尔开关霍尔元件新春大促中~华芯霍尔，长期与多加**企业合作。
霍尔开关怎么使用？ 霍尔器件是一种对磁场强度起反应的小型器件，只要它附近的磁场有变化它就有反应并输出相应的电压或脉冲电压（开关型霍尔器件）。
在用霍尔传感器测量直流电动机的转速时，将一个小磁铁块固定在电机的转子上，将霍尔传感器（开关型）靠近小磁铁附近，当电机转动以后，磁铁会以一定的周期靠近传感器一次，这样霍尔传感器将输出一个低电平，当小磁铁远离传感器时，传感器输出一个高电平。将这个脉冲送到单片机内部定时器，计算出脉冲一个周期的时间，就可以算出电机的转速。
霍尔开关时使用注意事项（下）
6.由于机械应力会造成霍尔器件磁敏感度的漂移，在使用安装中应尽量减少施加到器件外壳和引线上的机械力，如管脚需要弯曲，请在距引线根部3mm以外操作。；7.将导线平行焊接在霍尔器件的引脚上，焊接时不能掰动霍尔器件引脚。；8.建议焊接温度：电烙铁焊接，建议温度在350℃，**长5秒；波峰焊：建议比较高温度260℃，**长3秒；红外回流焊：建议比较高245℃，**长10秒。；9.焊点不得有毛刺，以避免将热缩管刺破而导致短路烧坏霍尔器件。；10.热缩管必须套在霍尔器件的引脚根部，保证器件充分绝缘，比较好在热缩管及引线的下面再铺一层绝缘纸。 中国霍尔质量供应商,选霍尔,找华芯!华芯十六年专业做霍尔,精度高,一致性好,灵敏度高,可替代各大进口品牌。
1、霍尔系数RH（又称霍尔常数）在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔比较大允许激励电流以霍尔元件允许比较大温升为限制所对应的激励电流称为比较大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。 霍尔元件新春大促中~华芯霍尔元件，质量好，价格优，长期与多加**企业合作。山东HX248R霍尔开关
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霍尔元件是由霍尔片、4根引线和壳体组成。霍尔片是一块矩形半导体单晶薄片（一般为4mm×2mm×），在它的长度方向两端面上焊有a、b两根引线，称为控制电流端引线，通常用红色导线。其焊接处称为控制电流极（或称激励电流），要求焊接处接触电阻很小，并呈纯电阻，即欧姆接触（无PN结特性）。在薄片的另两侧端面的中间以点的形式对称地焊有c、d两根霍尔输出引线，通常用绿色导线。其焊接处称为霍尔电极，要求欧姆接触，且电极宽度与基片长度之比小于，否则影响输出。霍尔元件的壳体上用非导磁金属、陶瓷或环氧树脂封装。目前，**常用的霍尔元件材料是锗（Ge）、硅（Si）、锑化铟（ISb）、砷化铟（lnAs）和不同比例亚砷酸铟和磷酸铟组成的ln型固熔体等半导体材料。值得一提的是，20世纪80年代末出现了一种新型霍尔元件——超晶格结构（砷化铝/砷化镓）的霍尔元件，它可以用来测10-T的微磁场。可以说，超晶格霍尔元件是霍尔元件的一个质的飞跃。 山东HX248R霍尔开关
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