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霍尔开关时使用注意事项（上）
1.霍尔是敏感器件，在使用过程以及存储过程中应注意采取静电防护措施。
2.适宜的电源电压和负载电路及工作温度是霍尔器件正常工作的先决条件，霍尔器件的供电电压，汕头线性霍尔开关，汕头线性霍尔开关，负载电流及工作温度不得超出规格书中多规定的范围。
3.所用工具，特别是焊接用的电烙铁，必须严格接上地线，汕头线性霍尔开关，以保证电烙铁不漏电，即电烙铁的铁皮是接地的，比较好选用低压恒温可调电烙铁进行焊接。
4.所有设备都应严格接地，并用检电笔逐个查明确无漏电，才能开始工作。
5.要求印制板及霍尔器件管脚严格经过清洁处理，使它与焊锡有良好的浸润性。 如果您需要提供霍尔产品整体解决方案，我司也可以为您量身定制。汕头线性霍尔开关
霍尔线性器件
线性霍尔元件是一种模拟信号输出的磁传感器，输出电压随输入的磁力密度线性变化。
线性霍尔效应传感器 IC 的电压输出会精确追寻磁通密度的变化。在静态（无磁场）时，从理论上讲，输出应等于在工作电压及工作温度范围内的电源电压的一半。增加南极磁场将增加来自其静态电压的电压。相反，增加北极磁场将增加来自其静态电压的电压。这些部件可测量电流的角、接近性、运动及磁通量。它们能够以磁力驱动的方式反映机械事件。
线性霍尔器件广泛应用需要模拟量输出的应用环境。如：汽车油门踏板，电动车油门，游戏手柄，液位计等等。 佛山HX281霍尔开关我司拥有世界前列霍尔元件研发设计能力,与多家**科学研究院建立合作关系。
霍尔开关是一种基于霍尔效应的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，并已得到普遍的应用。
霍尔器件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
霍尔线性器件的精度高、线性度好；霍尔开关器件无触点、无磨损、输出波形清晰、无抖动、无回跳、位置重复精度高（可达μm级）。取用了各种补偿和保护措施的霍尔器件的工作温度范围宽，可达－55℃～150℃。
双极霍尔开关元件的好坏检测
当磁体N极或S极接近霍尔开关时，输出为高电平或低电平(通常为低电平)，这表明霍尔开关是好的。如果霍尔开关的输出电平保持不变，如果无法识别霍尔开关接近或离开霍尔开关，则霍尔开关损坏。
双极锁存霍尔开关元件的好坏检测
当磁体N极或S极非常接近霍尔开关时，输出为高电平或低电平，然后将霍尔开关返回到霍尔开关，电平保持不变，然后使用对极获得相反的电平。结果表明，霍尔开关是好的。如果霍尔开关接近所获得的水平，并且在磁铁离开后没有锁定，这意味着霍尔开关是坏的，当磁铁接近相反极性的霍尔时，如果不能得到相反的电平，而另一个极性接近霍尔，则霍尔开关也是坏的。 华芯霍尔元件，专业霍尔开关厂家，值得信赖。
1、霍尔系数RH（又称霍尔常数）在磁场不太强时，霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比，与霍尔片的厚度δ成反比，即，式中的RH称为霍尔系数，它表示霍尔效应的强弱。另即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积。2、霍尔灵敏度KH（又称霍尔乘积灵敏度）霍尔灵敏度与霍尔系数成正比而与霍尔片的厚度δ成反比，即，它通常可以表征霍尔常数。3、霍尔额定激励电流当霍尔元件自身温升10℃时所流过的激励电流称为额定激励电流。4、霍尔比较大允许激励电流以霍尔元件允许比较大温升为限制所对应的激励电流称为比较大允许激励电流。5、霍尔输入电阻霍尔激励电极间的电阻值称为输入电阻。6、霍尔输出电阻霍尔输出电极间的电阻值称为输出电阻。7、霍尔元件的电阻温度系数在不施加磁场的条件下，环境温度每变化1℃时，电阻的相对变化率，用α表示，单位为%/℃。 中国霍尔质量供应商,选霍尔,找华芯!华芯十六年专业做霍尔,精度高,一致性好,灵敏度高,可替代各大进口品牌。佛山HX281霍尔开关
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霍尔开关在自动取款机中的应用
自动柜员机也称为自动取款机，主要用于取款，也称为ATM。自动取款机是一种高精度的机电一体化装置，使用智能卡或磁卡实现金钱交易的自助服务，而不是银行柜台人员的工作。霍尔开关在ATM中的纸币厚度的检测和识别中起着重要的作用。霍尔开关与磁铁之间的感应用来改变检测间隔，检测间隔在霍尔开关输出端产生与变化相对应的电信号，经霍尔开关放大，霍尔开关放大后由执行机构控制分拣机构对快速移动中的计数笔记进行分拣识别。一般使用线性的霍尔开关来感应磁场的变化。如HX6659、HX6639等型号。 汕头线性霍尔开关
无锡华芯晟科技有限公司成立于2003年，是一家专业从事霍尔元件研发、生产、测试、销售为一体的的大型综合型企业。公司主要生产先进的霍尔效应集成传感器产品，与中国科学院电子研究所、苏州纳米研究所等**研究机构及企业建立了战略合作关系，具有较强的新产品、新技术开发能力。
华芯公司注重研发,公司拥有一批专业器件设计、集成电路设计和测试的工程师，并具有前列的开发测试平台。已经开发了RF LDMOS系列、RF VDMOS系列等多项具有自主知识产权、**中国集成电路水平的**产品。并与中国科学院微电子研究所共同研制开发了功率VDMOS、霍尔效应集成传感器等产品。
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