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辽宁原装功率IGBT模块 奥联供应

单价: 面议
所在地: 江苏省
最后更新: 2020-01-14 14:24:36
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igbt功率模块是以绝缘栅双极型晶体管(igbt)构成的功率模块。由于igbt模块为mosfet结构,igbt的栅极通过一层氧化膜与发射极实现电隔离,具有出色的器件性能,辽宁原装功率IGBT模块。广泛应用于伺服电机,变频器,变频家电等领域。igbt功率模块是电压型控制,输入阻抗大,驱动功率小,控制电路简单,开关损耗小,通断速度快,工作频率高,元件容量大等优点。实质是个复合功率器件,它集双极型功率晶体管和功率mosfet的优点于一体化。又因先进的加工技术使它通态饱和电压低,开关频率高(可达20khz),这两点非常显着的特性,最近西门子公司又推出低饱和压降(2.2v)的npt-igbt性能更佳,相继东芝、富士、ir,摩托罗拉亦己在开发研制新品种。应用: igbt是先进的第三代功率模块,工作频率1-20khz,主要应用在变频器的主回路逆变器及一切逆变电路,即dc/ac变换中。例电动汽车、伺服控制器、ups、开关电源、斩波电源、无轨电车等,辽宁原装功率IGBT模块。问世迄今有十年多历史,几乎己替代一切其它功率器件,例scr.gto,gtr,mosfet,双极型达林顿管等泪今功率可高达1mw的低频应用中,单个元件电压可达4.okv(pt结构)一6.5kv(npt结构),电流可达1,辽宁原装功率IGBT模块.5ka,是较为理想的功率模块。

辽宁原装功率IGBT模块

在使用IGBT的场合,当栅极回路不正常或栅极回路损坏时(栅极处于开路状态),若在主回路上加上电压,则IGBT就会损坏,为防止此类故障,应在栅极与发射极之间串接一只10KΩ左右的电阻。 在安装或更换IGBT模块时,应十分重视IGBT模块与散热片的接触面状态和拧紧程度。为了减少接触热阻,比较好在散热器与IGBT模块间涂抹导热硅脂。一般散热片底部安装有散热风扇,当散热风扇损坏中散热片散热不良时将导致IGBT模块发热,而发生故障。因此对散热风扇应定期进行检查,一般在散热片上靠近IGBT模块的地方安装有温度感应器,当温度过高时将报警或停止IGBT模块工作。 1. 一般保存IGBT模块的场所,应保持常温常湿状态,不应偏离太大。常温的规定为5~35℃ ,常湿的规定在45~75%左右。在冬天特别干燥的地区,需用加湿机加湿; 2. 尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合; 3. 在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象,因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方; 4. 保管时,须注意不要在IGBT模块上堆放重物; 5. 装IGBT模块的容器,应选用不带静电的容器。 6. 检测IGBT模块的的办法。

辽宁原装功率IGBT模块

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。IGBT模块的电压规格与所使用装置的输入电源即试电电源电压紧密相关。其相互关系见下表。使用中当IGBT模块集电极电流增大时,所产生的额定损耗亦变大。同时,开关损耗增大,使原件发热加剧,因此,选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流。特别是用作高频开关时,由于开关损耗增大,发热加剧,选用时应该降等使用。

辽宁原装功率IGBT模块

文章来源地址: http://dzyqj.chanpin818.com/cxclyc/deta_2964986.html

 
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