而漏极一端电压小,其值为VGD=vGS-vDS,因而这里沟道薄。但当vDS较小(vDS随着vDS的增大,靠近漏极的沟道越来越薄,当vDS增加到使VGD=vGS-vDS=VT(或vDS=vGS-VT)时,沟道在漏极一端出现预夹断,如图2(b)所示。再继续增大vDS,夹断点将向源极方向移动,如图2(c)所示。由于vDS的增加部分几乎全部降落在夹断区,故iD几乎不随vDS增大而增加,管子进入饱和区,iD几乎由vGS决定。N沟道增强型MOS管的特性曲线、电流方程及参数(1)特性曲线和电流方程1)输出特性曲线N沟道增强型MOS管的输出特性曲线如图1(a)所示。与结型场效应管一样,其输出特性曲线也可分为可变电阻区、饱和区、截止区和击穿区几部分。2)转移特性曲线转移特性曲线如图1(b)所示,由于场效应管作放大器件使用时是工作在饱和区(恒流区),此时iD几乎不随vDS而变化,即不同的vDS所对应的转移特性曲线几乎是重合的,所以可用vDS大于某一数值(vDS>vGS-VT)后的一条转移特性曲线代替饱和区的所有转移特性曲线。3)iD与vGS的近似关系与结型场效应管相类似。在饱和区内,iD与vGS的近似关系式为式中IDO是vGS=2VT时的漏极电流iD。(2)参数MOS管的主要参数与结型场效应管基本相同,只是增强型MOS管中不用夹断电压VP。
三极管和MOS管的开关功能哪个略胜一筹我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别工作性质:1.三极管用电流控制,MOS管属于电压控制.2、成本问题:三极管便宜,MOS管贵。3、功耗问题:三极管损耗大。4、驱动能力:MOS管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,以npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出2020-08-30三极管的原理,开关ON和OFF,三个三极管是怎么导通的闭合开关,TR1导通致使TR2截止,使TR3基极电平升高,导通灯亮,断开开关时,TR1截止TR2导通,TR3截止灯灭2020-08-30三极管怎样做开关三极管在饱和导通(发射结和集电结都是正偏置)时,其CE极间电压很小,比PN结的导通电压还要低(硅管在)。
文章来源地址: http://dzyqj.chanpin818.com/cyg/deta_17380560.html
免责声明: 本页面所展现的信息及其他相关推荐信息,均来源于其对应的用户,本网对此不承担任何保证责任。如涉及作品内容、 版权和其他问题,请及时与本网联系,我们将核实后进行删除,本网站对此声明具有最终解释权。