[VIP第1年] 指数:3
三极管和MOS管的开关功能哪个略胜一筹我们在做电路设计中三极管和mos管做开关用时候有什么区别工作性质：1.三极管用电流控制，MOS管属于电压控制.2、成本问题：三极管便宜，MOS管贵。3、功耗问题：三极管损耗大。4、驱动能力：MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜，用起来方便，常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子（基区为空穴，发射区为电子）的扩散运动，在此pn结处会感应出2020-08-30三极管的原理,开关ON和OFF,三个三极管是怎么导通的闭合开关，TR1导通致使TR2截止，使TR3基极电平升高，导通灯亮，断开开关时，TR1截止TR2导通，TR3截止灯灭2020-08-30三极管怎样做开关三极管在饱和导通(发射结和集电结都是正偏置)时,其CE极间电压很小,比PN结的导通电压还要低(硅管在)。
随着社会的进步和发展，MOS管在电子行业的应用越来越广，萨科微电子SLKOR作为能够研发生产碳化硅SiC产品的“碳化硅**”，必须来科普一下这方面的知识。MOS即MOSFET的简写，全称是金属氧化物场效应晶体管。就是利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。MOS管的构造、原理、特性、符号规则和封装种类等，大致如下。1、MOS管的构造：MOS管的构造是在一块掺杂浓度较低的P型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的N+区，并用金属铝引出两个电极，分别作为漏极D和源极S。然后在漏极和源极之间的P型半导体表面复盖一层很薄的二氧化硅（Si02）绝缘层膜，在再这个绝缘层膜上装上一个铝电极，作为栅极G。这就构成了一个N沟道（NPN型）增强型MOS管。它的栅极和其它电极间是绝缘的。同样用上述相同的方法在一块掺杂浓度较低的N型半导体硅衬底上，用半导体光刻、扩散工艺制作两个高掺杂浓度的P+区，及上述相同的栅极制作过程，就制成为一个P沟道（PNP型）增强型MOS管。图1-1所示（a）、（b）分别是P沟道MOS管道结构图和符号。2、MOS管的工作原理：从图1-2-（a）可以看出，增强型MOS管的漏极D和源极S之间有两个背靠背的PN结。
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