[VIP第1年] 指数:3
由以上分析我们可以画出mos管工作原理图中MOS管电路部分的工作过程（见图）。工作原理同前所述。MOS管应用电路MOS管明显的特性是开关特性好，所以被广泛应用在需要电子开关的电路中，常见的如开关电源和马达驱动，也有照明调光。现在的MOS驱动，有几个特别的需求：1、低压应用当使用5V电源，这时候如果使用传统的mos管工作原理图图腾柱结构，由于三极管的be有，导致实际终加在gate上的电压只有。这时候，我们选用标称gate电压。同样的问题也发生在使用3V或者其他低压电源的场合。2、宽电压应用输入电压并不是一个固定值，它会随着时间或者其他因素而变动。这个变动导致PWM电路提供给MOS管的驱动电压是不稳定的。为了让MOS管在高gate电压下安全，很多MOS管内置了稳压管强行限制gate电压的幅值。在这种情况下，当提供的驱动电压超过稳压管的电压，就会引起较大的静态功耗。同时，如果简单的用电阻分压的原理降低gate电压，就会出现输入电压比较高的时候，MOS管工作良好，而输入电压降低的时候gate电压不足，引起导通不够彻底，从而增加功耗。3、双电压应用在一些控制电路中，逻辑部分使用典型的5V或者，而功率部分使用12V甚至更高的电压。两个电压采用共地方式连接。
栅极电压还没有到达VGS（th），导电沟道没有形成，MOSFET仍处于关闭状态。2.[t1-t2]区间,GS间电压到达Vgs（th），DS间导电沟道开始形成，MOSFET开启，DS电流增加到ID,Cgs2迅速充电，Vgs由Vgs（th）指数增长到Va。3.[t2-t3]区间,MOSFET的DS电压降至与Vgs相同,产生Millier效应，Cgd电容增加,栅极电流持续流过，由于Cgd电容急剧增大，抑制了栅极电压对Cgs的充电,从而使得Vgs近乎水平状态，Cgd电容上电压增加,而DS电容上的电压继续减小。4.[t3-t4]区间,至t3时刻,MOSFET的DS电压降至饱和导通时的电压,Millier效应影响变小，Cgd电容变小并和Cgs电容一起由外部驱动电压充电,Cgs电容的电压上升,至t4时刻为止.此时Cgs电容电压已达稳态,DS间电压也达小，MOSFET完全开启。
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