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在直流电场的作用下，电容器的损耗以漏导损耗的形式存在，一般较小，在交变电场的作用下，电容的损耗不仅与漏导有关，而且与周期性的极化建立过程有关。损耗角正切：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻。C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达：tgδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs因此，在应用当中应注意选择这个参数，避免自身发热过大，以减少设备的失效性。频率特性随着频率的上升，一般电容器的电容量呈现下降的规律。电容器的识别方法：电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同，深圳独石电容，分直标法、色标法和数标法3种。容量大的电容其容量值在电容上直接标明，深圳独石电容，深圳独石电容，如9μF/450V22μF/50V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或用数字表示。字母表示法：1m=1000μF4P7=1n=1000PF数字表示法：三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇，第三位数宇表示有效数字后面零的个数。东莞华科电容代理商公司。深圳独石电容
在许多电子产品中，电容器是必不可少的电子元件，它在电路中的功能是整流器的平滑滤波、退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等等。电容器的类型和结构种类比较多，小伙伴们使用时，不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性，而且还必须了解在给定用途下的优缺点、机械或环境的限制条件等。电容定义：电容是表征电容器容纳电荷多少的物理量。电容的符号是C。公式：在国际单位制里，电容的单位是法拉，简称法，符号是F，常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等。各单位的换算关系如下：1法拉(F)=1000毫法(mF)＝1000000微法(μF)1微法(μF)=1000纳法(nF)=1000000皮法(pF)。一个电容器，如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏，这个电容器的电容就是1法，电容是电容器的固有参数。对于平板电容器：ε是一个常数，S为电容极板的正对面积，d为电容极板的距离，k则是静电力常量。电容符号：电容是一种储能元件,储存的电场能量为：电容串联电路分析：串联后的等效电容容量倒数等于各个电容容量倒数之和;串联后的各个电容的电荷量相等；串联后的耐压等于各个电容电压之和。深圳CBB电容厂家国巨安规电容原装现货。
直径相同、容量相同的电容，高度低的可以代用高度大的电容，但是长度高的替代低的电容时就要考虑机构干涉问题。电容的ESR一只电容器会因其构造而产生各种阻抗、感抗。ESR等效串联电阻及ESL等效串联电感是一对重要参数─这就是容抗的基础。一个等效串联电阻（ESR）很小的电容相对较大容量的外部电容能很好地吸收快速转换时的峰值（纹波）电流。用ESR大的电容并联更具成本效益。然而,这需要在PCB面积、器件数目与成本之间寻求折衷。[纹波电流和纹波电压也称作涟波电流和涟波电压，其实就是ripplecurrent，ripplevoltage。含义就是电容器所能耐受纹波电流/电压值。纹波电压等于纹波电流与ESR的乘积。当纹波电流增大的时候，即使在ESR保持不变的情况下，纹波电压也会成倍提高。换言之，当纹波电压增大时，纹波电流也随之增大，这也是要求电容具备更低ESR值的原因。叠加入纹波电流后，由于电容内部的等效串连电阻（ESR）引起发热，从而影响到电容器的使用寿命。一般的，纹波电流与频率成正比，因此低频时纹波电流也比较低。电容寿命首先要明确一点，铝电解电容一定会坏，只是时间问题。影响电容寿命的原因有很多，过电压，逆电压，高温，急速充放电等等，正常使用的情况下。
Multi-layerCeramicCapacitor)多层陶瓷电容，也就是MLCC，片状(Chip)的多层陶瓷电容是目前世界上使用量极大的电容类型，其标准化封装，尺寸小，适用于自动化高密度贴片生产。也就是我自己设计的主板，自己拍的照片，加了艺术效果；没有标引用和出处的图片和内容，绝大多数都是我自己画或弄出来的，剩下一点点可能疏忽忘加了；标引用的图片，很多都是我重新加工的，例如翻译或几张图拼在一起等等，工具很土EXCEL+截图。多层陶瓷电容的内部结构如下图所示：原图出自SMDMLCCforHighPowerApplications-KEMET多层陶瓷电容生产流程如下图所示：原图出自Capacitors,Part2"CeramicCapacitors[1]"由于多层陶瓷需要烧结瓷化，形成一体化结构，所以引线(Lead)封装的多层陶瓷电容，也叫独石(Monolithic)电容。在谈谈电感中也介绍过多层陶瓷工艺和ThinFilm工艺。ThinFilm技术在性能或工艺控制方面都比较先进，可以精确的控制器件的电性能和物理性能。因此，ThinFilm电容性能比较好，极小容值可以做到，而容差可以做到；比通常MLCC要好很多，像Murata的GJM系列，极小容值是，容差通常都是；因此，ThinFilm电容可以用于要求比较高的RF领域，AVX有Accu-P®系列。巨新科是华科电容原产渠道。
也称为塑料薄膜电容；其内部结构大致如下图所示：原图来自于维基百科薄膜电容根据其电极的制作工艺，可以分为两类：金属箔薄膜电容(Film/Foil)金属箔薄膜电容，直接在塑料膜上加一层薄金属箔，通常是铝箔，作为电极；这种工艺较为简单，电极方便引出，可以应用于大电流场合。金属化薄膜电容(MetallizedFilm)金属化薄膜电容，通过真空沉积(VacuumDeposited)工艺直接在塑料膜的表面形成一个很薄的金属表面，作为电极；由于电极厚度很薄，可以绕制成更大容量的电容；但由于电极厚度薄，只适用于小电流场合。金属化薄膜电容就是具有自我修复的功能，即假如电容内部有击穿损坏点，会在损坏处产生雪崩效应，气化金属在损坏处将形成一个气化集中面，短路消失，损坏点被修复；因此，金属化薄膜电容可靠性非常高，不存在短路失效；薄膜电容有两种卷绕方法：有感绕法在卷绕前，引线就已经和内部电极连在一起；无感绕法在绕制后，会采用镀金等工艺，将两个端面的内部电极连成一个面，这样可以获得较小的ESL，应该高频性能较高；此外，还有一种叠层型的无感电容，结构与MLCC类似，性能较好，便于做成SMD封装。极早的薄膜电容的介质材料是用纸浸注在油或石蜡中。广东华科电容代理商公司。深圳瓷片电容哪里买
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Page103由于ClassII和III电容的容值极高可以做到几百uF，但由于高介电常数介质，大都是铁电性介质(Ferroelectric)，温度稳定性差。此外，铁电性介质，在直流偏置电压下介电常数会下降。在谈谈电感一文中，介绍了铁磁性介质存在磁滞现象，当内部磁场超过一定值时，会发生磁饱和现象，导致磁导率下降；同样的，对于铁电性介质存在电滞现象，当内部电场超过一定值时，会发生电饱和现象，导致介电常数下降。当ClassII和III电容的直流偏置电压超过一定值时，电容会明显下降，如下图所示：图片来源GRM188R60J226MEA0-MurataClassIV：制作工艺和通常的陶瓷材料不一样，内部陶瓷颗粒都是外面一层很薄的氧化层，而中心是导体。这种类型的电容容量很大，但击穿电压很小。由于此类电容的性能不稳定，损耗高，现在已经基本被淘汰了。引申阅读：·ECA-EIA-198-1-F-2002·MaterialsDevelopmentforCommercialMultilayerCeramicCapacitors·HysteresisinPiezoelectricandFerroelectricMaterials电容类型总结表原图出自维基百科还有一类超级电容，就是容量特别大，可以替代电池作为供电设备，也可以和电池配合使用。超级电容充电速度快，可以完全地充放电，而且可以充到任何想要的电压。深圳独石电容
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