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天津插件热敏电阻选型 上海来明电子供应

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所在地: 上海市
***更新: 2023-05-18 00:16:07
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产品详细说明

钛酸钡晶体属于钙钛矿型结构,是一种铁电材料,纯钛酸钡是一种绝缘材料.在钛酸钡材料中加入微量稀土元素,进行适当热处理后,在居里温度附近,电阻率陡增几个数量级,产生PTC效应,天津插件热敏电阻选型,此效应与BaTiO3晶体的铁电性及其在居里温度附近材料的相变有关。钛酸钡半导瓷是一种多晶材料,晶粒之间存在着晶粒间界面。该半导瓷当达到某一特定温度或电压,晶体粒界就发生变化,从而电阻急剧变化。钛酸钡半导瓷的PTC效应起因于粒界(晶粒间界)。对于导电电子来说,晶粒间界面相当于一个势垒。当温度低时,由于钛酸钡内电场的作用,导致电子极容易越过势垒,天津插件热敏电阻选型,则电阻值较小。当温度升高到居里温度(即临界温度)附近时,内电场受到破坏,天津插件热敏电阻选型,它不能帮助导电电子越过势垒。这相当于势垒升高,电阻值突然增大,产生PTC效应。钛酸钡半导瓷的PTC效应的物理模型有海望表面势垒模型、丹尼尔斯等人的钡缺位模型和叠加势垒模型,它们分别从不同方面对PTC效应作出了合理解释。NTC是以锰、钴、镍和铜等金属氧化物为主要材料, 采用陶瓷工艺制造而成的。天津插件热敏电阻选型

材料常数(热敏指数)B值(K)B值被定义为:B=T1*T2/(T2-T1)ln(RT1/RT2)RT1:温度T1(K)时的零功率电阻值。RT2:温度T2(K)时的零功率电阻值。T1、T2:两个被指定的温度(K)。对于常用的NTC热敏电阻,B值范围一般在2000K~6000K之间。零功率电阻温度系数(αT)在规定温度下,NTC热敏电阻零动功率电阻值的相对变化与引起该变化的温度变化值之比值。αT:温度T(K)时的零功率电阻温度系数。RT:温度T(K)时的零功率电阻值。T:温度(T)。B:材料常数。广东陶瓷热敏电阻测试工作温度范围宽,常温器件-55℃~315℃,高温器件大于315℃,低温器件-273℃~-55℃。

热敏电阻的阻值会随着温度的改变而改变,而这种改变是非线性的,Steinhart-Hart公式表明了这一点。在进行温度测量时,需要驱动一个通过热敏电阻的参考电流,以创建一个等效电压,该等效电压具有非线性的响应。您可以使用配备在微控制器上的参照表,尝试对热敏电阻的非线性响应进行补偿。即使您可以在微控制器固件上运行此类算法,但您还是需要一个高精度转换器用于在出现极端值温度时进行数据捕获。另一种方法是,您可以在数字化之前使用“硬件线性化”技术和一个较低精度的ADC。(Figure1)其中一种技术是将一个电阻RSER与热敏电阻RTHERM以及参考电压或电源进行串联(见图1)。将PGA(可编程增益放大器)设置为1V/V,但在这样的电路中,一个10位精度的ADC只能感应很有限的温度范围(大约±25°C)。

负温度系数(NegativeTemperatureCoefficient,NTC)热敏电阻因具有对温度变化敏感、响应时间短、价格便宜、测温范围宽和互换替代性好等诸多优点,已被***用于温度测量与控制、稳压、补偿、抑制浪涌电流以及流量流速测量等诸多领域,尤其是随着现代新兴产业的不断发展和新产品质量的不断改善,NTC热敏电阻的应用范围也越来越拓展,被大量应用在人们日常生活和工作中。封装在NTC热敏电阻内部的陶瓷芯片是该类电子元器件的**,该类NTC热敏陶瓷一般是由若干种3d过渡金属如Mn、Ni、Co、Fe、Cu和Zn的金属氧化物氧化物粉体为原料,采用半导体陶瓷制备工艺,在高温下烧结形成的以尖晶石结构为主晶相的一类无机功能材料。高分子PTC热敏电阻是一种直热式、阶跃型热敏电阻,其电阻变化过程与自身的发热和散热情况有关。

正温度系数(PTC)是指在某一温度下电阻急剧增加、具有正温度系数的热敏电阻现象或材料,可专门用作恒定温度传感器.该材料是以BaTiO3或SrTiO3或PbTiO3为主要成分的烧结体,其中掺入微量的Nb、Ta、Bi、Sb、Y、La等氧化物进行原子价控制而使之半导化,常将这种半导体化的BaTiO3等材料简称为半导(体)瓷;同时还添加增大其正电阻温度系数的Mn、Fe、Cu、Cr的氧化物和起其他作用的添加物,采用一般陶瓷工艺成形、高温烧结而使钛酸铂等及其固溶体半导化,从而得到正特性的热敏电阻材料。其温度系数及居里点温度随组分及烧结条件(尤其是冷却温度)不同而变化。面积和厚度较小的热敏电阻恢复相对较快;而面积和厚度较大的热敏电阻恢复相对较慢。天津插件热敏电阻选型

热敏电阻在环境温度相同时,动作时间随着电流的增加而急剧缩短。天津插件热敏电阻选型

NTC负温度系数热敏电阻构成NTC(NegativeTemperatureCoefficient)是指随温度上升电阻呈指数关系减小、具有负温度系数的热敏电阻现象和材料.该材料是利用锰、铜、硅、钴、铁、镍、锌等两种或两种以上的金属氧化物进行充分混合、成型、烧结等工艺而成的半导体陶瓷,可制成具有负温度系数(NTC)的热敏电阻.其电阻率和材料常数随材料成分比例、烧结气氛、烧结温度和结构状态不同而变化.现在还出现了以碳化硅、硒化锡、氮化钽等为**的非氧化物系NTC热敏电阻材料。NTC热敏半导瓷大多是尖晶石结构或其他结构的氧化物陶瓷,具有负的温度系数,电阻值可近似表示为:式中RT、RT0分别为温度T、T0时的电阻值,Bn为材料常数.陶瓷晶粒本身由于温度变化而使电阻率发生变化,这是由半导体特性决定的。天津插件热敏电阻选型

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