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压敏电阻比较大限制电压(CLAMPINGVOLTAGE(MAX.))：比较大限制电压是指压敏电阻器两端所能承受的最高电压值，它表示在规定的冲击电流Ip通过压敏电阻器两端所产生的电压此电压又称为残压，所以选用的压敏电阻的残压一定要小于被保护物的耐压水平Vo，否则便达不到可靠的保护目的，通常冲击电流Ip值较大，热保护压敏电阻MOV保护，例如2.5A或者10A，因而压敏电阻对应的比较大限制电压Vc相当大，例如MYG7K471其Vc=775（Ip=10A时。）压敏电阻的比较大限制电压与流过压敏电阻的瞬时电流有关，热保护压敏电阻MOV保护，电流越大，限制电压也越大，热保护压敏电阻MOV保护。**压敏电阻脚间距一般为7.5mm或10mm。热保护压敏电阻MOV保护
压敏电阻应用：压敏电阻的Zv与电路总阻抗（包括浪涌源阻抗Zs）构成分压器，因此压敏电阻的限制电压为V=VsZv/(Zs+Zv)。Zv的阻值可以从正常时的兆欧级降到几欧，甚至小于1Ω。由此可见Zv在瞬间流过很大的电流，过电压大部分降落在Zs上，而用电器的输入电压比较稳定，因而能起到的保护作用。图(3)所示特性曲线可以说明其保护原理。直线段是总阻抗Zs，曲线是压敏电阻的特性曲线，两者相交于点Q，即保护工作点，对应的限制电压为V，它是使用了压敏电阻后加在用电器上的工作电压。Vs为浪涌电压，它已超过了用电器的耐压值VL，加上压敏电阻后，用电器的工作电压V小于耐压值VL，从而有效地保护了用电器。不同的线路阻抗具有不同的保护特性，从保护效果来看，Zs越大，其保护效果就越好，若Zs=0，即电路阻抗为零，压敏电阻就不起保护作用了。图(4)所描述的曲线可以说明Zs与保护特性之间的关系。热保护压敏电阻MOV保护压敏电阻是一种性价比非常高的电路保护器件。
压敏电阻瞬态过电压损伤是指强瞬态过电压使电阻器穿孔，导致更大电流和高热火灾。整个过程在短时间内完成，因此设置在电阻器上的热熔触点没有时间熔断。在三相电源保护中，N-PE线路之间的变阻器烧毁着火的事故概率较高，且大多属于这种情况。相应的对策是在压敏电阻损坏后不起火。在一些压敏电阻的应用技术数据中，建议将电流保险丝（fuse）与压敏电阻串联保护。为避免压敏电阻失效起火，在选择时应对压敏电压和通流量留有足够的余量。
压敏电阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种，一种是为8/20μs波，即通常所说的波头为8μs波尾时间为20μs的脉冲波，另外一种为2ms的方波。所谓通流容量，即比较大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过±10％时的比较大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品比较大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用2-20kA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，并联后的压敏电压不变，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。压敏电阻漏电流是指在25℃条件下，当施加比较大连续直流电压时，压敏电阻器中流过的电流值。
压敏电阻的失效模式有三种：一是劣化，表现为泄漏电流增加，压敏电阻电压下降，直至为零。如果过电压引起的浪涌能量过大，超过了所选变阻器限值的承载能力，变阻器抑制过电压时会出现陶瓷爆裂现象。第三种穿孔，如果峰值过电压特别高，压敏电阻的大多数故障模式都会退化。解决方法是在使用变阻器时，将合适的断路器或熔断器串联在变阻器上，以避免短路引起的事故。总之，当变阻器吸收浪涌时，它会崩溃，当电压降低时，它的工作电流会过大，直到烧坏；如果发生爆裂（封装层破裂，引线与陶瓷体分离），电路将断开，导致保护失效；如果短路，它会烧坏。当变阻器的使用环境或湿度过高时，变阻器会恶化（崩溃电压降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路。当变阻器的工作电压超过额定工作电压时，变阻器会劣化（崩溃电压会降低），使其工作电流过大，直到烧坏或短路为止。 常用的压敏电阻型号有681KD10或10D681K。热保护压敏电阻MOV保护
压敏电阻通流量是表示施加规定的脉冲电流（8/20μs）波形时的峰值电流。热保护压敏电阻MOV保护
压敏电阻导电机理：晶界由晶粒的边界线和晶间相共同组成,也称晶界相。多晶陶瓷的晶界是气体和离子迁移的快速通道，也是掺杂物聚集的地方。从微观结构看ZnO晶界层组分和结构的变化常会引起氧化物晶体的能带畸变，这是在晶界处产生肖特基势垒的根本原因,从而使ZnO压敏电阻具有非线性电特性。同时，与氧的平衡压相对应，晶粒边界部分发生氧化或还原其空间电荷分布发生变化。具有自发介电极化的晶粒界面电荷在平衡状态下因获得离子或电子而中和,这些缺陷将影响ZnO压敏电阻的稳定性。因此，晶界的性质对ZnO电阻的性能起决定性的使用ZnO压敏电阻器的压敏电压和能量吸收能力以及老化性能等可以通过对晶界的控制而得到改善和提高。热保护压敏电阻MOV保护
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