[VIP第1年] 指数:3
压敏电阻通流容量(Imax(8/20us))通流容量也称通流量，是指在规定的条件（以规定的时间间隔和次数，施加标准的冲击电流）下，允许通过压敏电阻器上的比较大脉冲（峰值）电流值。一般过压是一个或一系列的脉冲波。实验压敏电阻所用的冲击波有两种，一种是为8/20μs波，硅树脂压敏电阻MOV伏安特性，即通常所说的波头为8μs波尾时间为20μs的脉冲波，另外一种为2ms的方波。所谓通流容量，即比较大脉冲电流的峰值是环境温度为25℃情况下，对于规定的冲击电流波形和规定的冲击电流次数而言，压敏电压的变化不超过±10％时的比较大脉冲电流值。为了延长器件的使用寿命，ZnO压敏电阻所吸收的浪涌电流幅值应小于手册中给出的产品比较大通流量。然而从保护效果出发，要求所选用的通流量大一些好。在许多情况下，实际发生的通流量是很难精确计算的，则选用2-20kA的产品。如手头产品的通流量不能满足使用要求时，可将几只单个的压敏电阻并联使用，硅树脂压敏电阻MOV伏安特性，并联后的压敏电压不变，硅树脂压敏电阻MOV伏安特性，其通流量为各单只压敏电阻数值之和。要求并联的压敏电阻伏安特性尽量相同，否则易引起分流不均匀而损坏压敏电阻。压敏电阻的结电容一般在几百到几千Pf的数量级范围。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性
压敏电阻器的晶相
ZnO压敏陶瓷是以Zn为主体添加若于其它氧化物改性的烧结体。氧化物添加剂除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界。ZnO是n型半导体，它是构成陶瓷的主晶相。其它氧化物除少量与ZnO固溶外，主要在ZnO晶粒之间形成晶界相。因此，ZnO半导体陶瓷是多相陶瓷。图，它们的化学式及各种相的掺杂。(1)ZnO相:构成ZnO半导体陶瓷的主晶相;由于Zn的填隙或者Co的溶入，使它具有n型电导特性，不同方法测试得到室温电阻率为()Ω·cm;ZnO晶粒对V-I特性的影响，尤其在大电流情况下，ZnO晶粒上产生的压降更有决定性影响。(2)尖晶石相:尖晶石相是不连续的，该相和ZnO以及富铋相在高温下并存，因此它对各相的分配起作用，使富铋相有个特定的组成。又由于它在ZnO晶粒边界凝结，能够抑制ZnO晶粒的生长。(3)焦绿石相:该相也是不连续的，主要是在高温烧结时与ZnO形成富铋相。(4)富铋相:富铋相溶有大量的ZnO和少量的Sb23，所以有助于液相烧结成陶瓷。又由于富铋相在晶界层中结晶后溶有大量的Zn和少量的SbMn和Co，所以富铋相有产生高α值的作用。 热保护压敏电阻MOV保护对于过压保护方面的应用，压敏电压值应大于实际电路的电压值，一般应使用下式进行选择：VmA=av/bc式中。
压敏电阻(6)电压比：电压比是指压敏电阻器的电流为1mA时产生的电压值与压敏电阻器的电流为0.1mA时产生的电压值之比。(7)额定功率在规定的环境温度下所能消耗的最大功率。(8)比较大峰值电流(SURGECURRENT(8/20μs))一次以8/20μs标准波形的电流作一次冲击的最大电流值，此时压敏电压变化率仍在±10%以内。2次以8/20μs标准波形的电流作两次冲击的最大电流值，两次冲击时间间隔为5分钟，此时压敏电压变化率仍在±10%以内。(9)残压比流过压敏电阻器的电流为某一值时，在它两端所产生的电压称为这一电流值的残压。残压比则为残压与标称电压之比。
压敏电阻的三种电压(1).连续工作电压我们指，允许工作电压（工作控制电压）：此电压分交流和直流两种情况。那说直流的，我们规定出这个工作电压上限主要是为了保证压敏电阻。在电源电路中应用时，有适当的保护。它是一个上限值，电路上的电压在它之下，是对压敏电阻是长期的保障，在他之上，短时也是没问题的（以小时计）。(2).压敏电压或崩溃电压缩写为V1mA=Vv=Varistorvoltage，压敏电压：通过的电流为1mA直流电流时，压敏电阻器两端的电压值。所谓压敏电压，即击穿电压或阈值电压。是压敏电阻对电压发生动作的一个指标，高于这个电压的话，压敏电阻会进行拦阻了。压敏电阻具有多种引线脚型。
贴片压敏电阻体积小，节省空间大TVS二极管静电容量小，需要并联插入MLCC一起使用，这样就占用二个元件的面积，而贴片压敏电阻静电容量大，和TVS二极管、MLCC体积差不多，但只需要一个贴片压敏电阻就可以代替TVS二极管和MLCC这两个产品，节省空间。2、音频失真小TVS二极管有极性，的电流-电压特性(IV曲线)急剧升高，导致音频信号失真，而贴片压敏电阻无极性，其电流-电压特性IV曲线)升高幅度慢，更容易保持高音质。3、通过静电容量抑制噪音在智能手机的音频线路中，音频编解码器及D级放大器等会产生噪音，对内部造成干扰，导致接收灵敏度劣化。MLCC的静电容量范围较广，为数pF～数F，TVS二极管的静电容量范围为数pF～数10pF，贴片压敏电阻的静电容量范围为数pF～数百pF，音频线路发射的电子噪音以数100MHz～数GHz的频带居多，抑制这些频带的噪音，选择静电容量为数pF～数100pF的贴片压敏电阻更为有效。压敏电阻所吸收的浪涌电流应小于产品的比较大通流量。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性
现在大量使用的"氧化锌"（ZnO）压敏电阻器，它的主体材料有二价元素锌（Zn）和六价元素氧（O）所构成。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性
高电位梯度ZnO压敏电阻的比较大优势是在使用过程中能够在更小的体积小获得更高的保护电压，但是压敏元件的能量吸收能力是以J/cm来衡量的，假设元件的能量吸收能力保持不变，元件体积的减小为原来的二分之一，必然导致元件所能抵挡的浪涌冲击的能量值减少到原来的一半，因此只有在其电位梯度提高的同时提高其能量吸收能力(二者应基本满足同比例增长)，才能保证电位梯度的提高有意义。ZnO压敏电阻片破坏主要是由于电阻片内部微观结构的不均匀性导致电流分布不均匀，电阻片内部产生热应力，使其炸裂和击穿，因此提高微观均匀性是提高电阻片能量耐受密度的根本。硅树脂压敏电阻MOV伏安特性
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