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溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体(O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物(如氧化物、氮化物等)而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行，广东叉指电极真空镀膜工艺，广东叉指电极真空镀膜工艺。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。薄膜应力的起源是薄膜生长过程中的某种结构不完整性，广东叉指电极真空镀膜工艺、表面能态的存在、薄膜与基底界面间的晶格错配等。广东叉指电极真空镀膜工艺
热氧化氧化过程主要分两个步骤：步骤一：氧气或者水蒸气等吸附到氧化硅表面，步骤二：氧气或者水蒸气等扩散到硅表面，步骤三：氧气或者水蒸气等与硅反应生成氧化硅。热蒸发主要是三个过程：1.蒸发材料从固态转化为气态的过程。2.气化原子或分子在蒸发源与基底之间的运输 3.蒸发原子或分子在衬底表面上淀积过程，即是蒸汽凝聚、成核、核生长、形成连续薄膜的过程。热氧化与化学气相沉积不同，她是通过氧气或水蒸气扩散到硅表面并进行化学反应形成氧化硅。热氧化形成氧化硅时，会消耗相当于氧化硅膜厚的45%的硅。广东叉指电极真空镀膜工艺利用PECVD生长的氮化硅薄膜台阶覆盖性比较好。
等离子可在接近基片的周围被激发(近程等离子法)。而对于半导体硅片等敏感型基材，辐射和离子轰击可能损坏基材。另一方面，在远程等离子法中，等离子体与基材间设有空间隔断。隔断不仅能够保护基材，也允许激发混合工艺气体的特定成分。然而，为保证化学反应在被活动的粒子真正抵达基材表面时才开始进行，需精心设计工艺过程。在等离子增强化学气相沉积(PECVD)工艺中，由等离子体辅助化学反应过程。在等离子体辅助下，200 到500°C的工艺温度足以实现成品膜层的制备，因此该技术降低了基材的温度负荷。
常用的薄膜制备方式主要有两种，其中一种是物理的气相沉积（PVD），PVD的方法有磁控溅射镀膜、电子束蒸发镀膜、热阻蒸发等。另一种是化学气相沉积法（CVD），主要有常压CVD、LPCVD（低压气相沉积法）、PECVD（等离子体增强气相沉积法）等方法。解决靶中毒主要有以下几种方法;1.使用射频电源进行溅射；2.采用闭环控制反应气体通入流量；3.使用孪生靶交替溅射；4.控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。化学气相沉积技术是把含有构成薄膜元素的单质气体或化合物供给基体。
真空镀膜机EMI溅射镀膜具有以下特点：磁控溅射是一种高速率低基片温升的成膜技术。1.被溅射基材几无限制（PC、ABS、PC+ABS、陶瓷、、玻璃等）2.膜质致密均匀、膜厚容易控制。3.溅射粒子的初始动能大，溅射薄膜的结合力强（D3359-93方法测试）。4.溅射薄膜的致密度高、小孔少、品质因数高。5.在反应气氛中可以直接获得化合膜。6.溅射时基片的温升低。7.在相同的工艺条件、溅射功率下，溅射速率几乎不变，故可以用时间来估算沉积的膜厚。8.价格低。9.真空溅射加工的金属薄膜厚度只有0.5～2μm，一定不影响装配。10.真空溅射是彻底的环保制程，一定环保无污染。磁控溅射可用于多种材料，适用性普遍。广东叉指电极真空镀膜工艺
真空镀膜流程：前处理及化学清洗→衬底真空中烘烤加热→等离子体清洗→金属离子轰击→镀金属过渡层→镀膜。广东叉指电极真空镀膜工艺
真空镀膜机多弧离子镀膜工艺应该如何应用?在现代的一些工程应用领域中，有的时候单一的镀膜技术已经无法满足工件特殊需求，产品性能提高也无法达到一定标准，因此因市场需求，许多厂家追求更先进的工艺，镀膜工艺也不断的创新。真空镀膜机多弧离子镀膜是复合工艺技术表面工程技术发展的一个方向，而采用较多的便是多弧离子镀膜和渗复合工艺镀膜。我们常用的工艺是：渗、镀复合工艺，它包括离子渗氮、离子镀等；渗镀复合工艺以及多弧离子镀膜、渗复合工艺等。多弧离子镀膜工件在镀膜之前要先进行离子渗氮，不只能使膜层抗变形能力提高，且因为膜层下新村了比较平稳的过渡区，可以使膜层到基体的应力分布较好，因此相对于未渗氮工艺，多弧离子镀膜提高了镀膜的力学抗力。真空镀膜机多弧离子镀膜以在刀具表面沉积一层金属或者其合金的硬质薄膜，这是提高多弧离子镀膜寿命的常用办法，但是通过提高硬度而增加多弧离子镀膜寿命是有限的，我们应该考虑在已镀硬钼表面再原位合成一层MoS2固体润滑薄膜以进一步提高刀具寿命。广东叉指电极真空镀膜工艺
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