广州功率器件真空镀膜 广东省科学院半导体研究所供应

真空镀膜：随着沉积方法和技术的提升，物理的气相沉积技术不仅可沉积金属膜、合金膜、还可以沉积化合物、陶瓷、半导体、聚合物膜等。物理的气相沉积技术早在20世纪初已有些应用，但30年迅速发展成为一门极具广阔应用前景的新技术，并向着环保型、清洁型趋势发展。在钟表行业，尤其是较好手表金属外观件的表面处理方面达到越来越为普遍的应用，广州功率器件真空镀膜。物理的气相沉积技术基本原理可分三个工艺步骤：镀料的气化：即使镀料蒸发，升华或被溅射，也就是通过镀料的气化源。镀料原子，广州功率器件真空镀膜、分子或离子的迁移：由气化源供出原子、分子或离子经过碰撞后，产生多种反应，广州功率器件真空镀膜。镀料原子、分子或离子在基体上沉积。真空镀膜的操作规程：把零件放入酸洗或碱洗槽中时，应轻拿轻放，不得碰撞及溅出。广州功率器件真空镀膜

真空镀膜的方法：溅射镀膜：溅射镀膜有很多种方式。按电极结构、电极相对位置以及溅射的过程,可以分为二极溅射、三极或四极溅射、磁控溅射、对向靶溅射、和ECR溅射。除此之外还根据制作各种薄膜的要求改进的溅射镀膜技术。比较常用的有:在Ar中混入反应气体如O2、N2、CH4、C2H2等,则可制得钛的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜的反应溅射。在成膜的基板上施加直到500V的负电压,使离子轰击膜层的同时成膜,由此改善膜层致密性的偏压溅射。广州共溅射真空镀膜真空镀膜技术一般分为两大类，即物理的气相沉积（PVD）技术和化学气相沉积（CVD）技术。

真空镀膜：等离子体增强化学气相沉积：在沉积室利用辉光放电使其电离后在衬底上进行化学反应沉积的半导体薄膜材料制备和其他材料薄膜的制备方法。等离子体增强化学气相沉积是：在化学气相沉积中，激发气体，使其产生低温等离子体，增强反应物质的化学活性，从而进行外延的一种方法。该方法可在较低温度下形成固体膜。例如在一个反应室内将基体材料置于阴极上，通入反应气体至较低气压(1～600Pa)，基体保持一定温度，以某种方式产生辉光放电，基体表面附近气体电离，反应气体得到活化，同时基体表面产生阴极溅射，从而提高了表面活性。在表面上不仅存在着通常的热化学反应，还存在着复杂的等离子体化学反应。沉积膜就是在这两种化学反应的共同作用下形成的。激发辉光放电的方法主要有：射频激发，直流高压激发，脉冲激发和微波激发。

真空镀膜是指在高真空的条件下加热金属或非金属材料，使其蒸发并凝结于镀件（金属、半导体或绝缘体）表面而形成薄膜的一种方法。例如，真空镀铝、真空镀铬等。真空电镀工艺中，ABS、PC以及TPU等材质的使用较为普遍，但如果在注塑成型的过程中素材表面有脱模剂等油污的话，在真空电镀之后罩UV光油时，表面会出现油点、油窝以及油斑等不良缺陷。真空镀膜是一种由物理方法产生薄膜材料的技术，在真空室内材料的原子从加热源离析出来打到被镀物体的表面上。此项技术首先用于生产光学镜片，如航海望远镜镜片等；后延伸到其他功能薄膜，唱片镀铝、装饰镀膜和材料表面改性等，如手表外壳镀仿金色，机械刀具镀膜，改变加工红硬性。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。真空镀膜中等离子体增强化学气相沉积可在较低温度下形成固体膜。

离子辅助镀膜是在真空热蒸发基础上发展起来的一种辅助镀膜方法。当膜料蒸发时，淀积分子在基板表面不断受到来自离子源的荷能离子的轰击，通过动量转移，使淀积粒子获得较大动能，提高了淀积粒子的迁移率，从而使膜层聚集密度增加，使得薄膜生长发生了根本变化，使薄膜性能得到了改善。常用的离子源有克夫曼离子源、霍尔离子源。霍尔离子源是近年发展起来的一种低能离子源。这种源没有栅极，阴极在阳极上方发出热电子，在磁场作用下提高了电子碰撞工作气体的几率，从而提高了电离效率。正离子因阴极与阳极间的电位差而被引出。离子能量一般很低（50-150eV），但离子流密度较高，发散角大，维护容易。真空镀膜中溅射镀膜有很多种方式。广州光电器件真空镀膜

真空镀膜的操作规程：平时酸洗槽盆应加盖。广州功率器件真空镀膜

电子束蒸发镀膜技术是一种制备高纯物质薄膜的主要方法，在电子束加热装置中，被加热的物质被放置于水冷的坩埚中电子束只轰击到其中很少的一部分物质，而其余的大部分物质在坩埚的冷却作用下一直处于很低的温度，即后者实际上变成了被蒸发物质的坩埚。因此，电子束蒸发沉积方法可以做到避免坩埚材料的污染。在同一蒸发沉积装置中可以安置多个坩埚，这使得人们可以同时或分别蒸发和沉积多种不同的物质。现今主流的电子束蒸发设备中对镀膜质量起关键作用的是电子枪和离子源。广州功率器件真空镀膜

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