将igbt模块中双极型三极管bjt的集电极和绝缘栅型场效应管mos的漏电极断开,并替代包含镜像电流测试的电路中的取样igbt,从而得到包含无栅极驱动的电流检测的igbt芯片的等效测试电路,即图5中的igbt芯片结构,从而得到第二发射极单元201和第三发射极单元202,此时,bjt的集电极单独引出,即第二发射极单元201,作为测试电流的等效电路,电流检测区域20只取bjt的空穴电流作为检测电流,且,空穴电流与工作区域10的工作电流成比例关系,从而通过检测电流检测区域20中的电流即可得到igbt芯片的工作区域10的电流,避免了现有方法中栅极对地电位变化造成的偏差,提高了检测电流的精度。此外,在第1表面上,电流检测区域20设置在工作区域10的边缘区域,且,电流检测区域20的面积小于工作区域10的面积。此外,igbt芯片为沟槽结构的igbt芯片,在电流检测区域20和工作区域10的对应位置内分别设置多个沟槽,可选的,电流检测区域20和工作区域10可以同时设置有多个沟槽,或者,工作区域10设置有多个沟槽,本发明实施例对此不作限制说明。以及,当设置有沟槽时,在每个沟槽内还填充有多晶硅。此外,在第1表面和第二表面之间,还设置有n型耐压漂移层和导电层。
对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本发明实施例提供的一种igbt器件的结构图;图2为本发明实施例提供的一种电流敏感器件的结构图;图3为本发明实施例提供的一种kelvin连接示意图;图4为本发明实施例提供的一种检测电流与工作电流的曲线图;图5为本发明实施例提供的一种igbt芯片的结构示意图;图6为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的结构示意图;图7为本发明实施例提供的一种igbt芯片的表面结构示意图;图8为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图9为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图10为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图11为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图12为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图13为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图14为本发明实施例提供的另一种igbt芯片的表面结构示意图;图15为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的结构示意图;图16为本发明实施例提供的一种半导体功率模块的连接示意图。图标:1-电流传感器;10-工作区域;101-第1发射极单元。
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