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氮化硅陶瓷的热压烧结法(HPS)是将Si3N4 粉末和少量添加剂（如MgO、Al2O3，深圳耐腐蚀氮化硅陶瓷源头生产厂家、MgF2、Fe2O3 等），在1916 MPa以上的压强和1600 ℃以上的温度进行热压成型烧结。英国和美国的一些公司采用的热压烧结Si3N4 陶瓷，其强度高达981MPa以上。烧结时添加物和物相组成对产品性能有很大的影响。由于严格控制晶界相的组成，以及在Si3N4 陶瓷烧结后进行适当的热处理，深圳耐腐蚀氮化硅陶瓷源头生产厂家，所以可以获得即使温度高达1300 ℃时强度（可达490MPa以上）也不会明显下降的Si3N4系陶瓷材料，而且抗蠕变性可提高三个数量级。若对Si3N4 陶瓷材料进行1400———1500 ℃高温预氧化处理，则在陶瓷材料表面上形成Si2N2O相，它能显著提高Si3N4 陶瓷的耐氧化性和高温强度。热压烧结法生产的Si3N4 陶瓷的机械性能比反应烧结的Si3N4 要优异，深圳耐腐蚀氮化硅陶瓷源头生产厂家，强度高、密度大。但制造成本高、烧结设备复杂，由于烧结体收缩大，使产品的尺寸精度受到一定的限制，难以制造复杂零件，只能制造形状简单的零件制品，工件的机械加工也较困难。精密加工氮化硅陶瓷零件基板。深圳耐腐蚀氮化硅陶瓷源头生产厂家
氮化硅陶瓷的工艺性能：
1、机械强度高，硬度洁净于刚玉，有自润滑性耐磨。室温抗弯强度可以高达980MPa以上，能与合金钢相比，而且强度可以一直维持到1200°不下降。
2、热稳定高，热膨胀系数小，有良好的导热性能，所以抗热震性很好，从室温到1000°的热冲击不会开裂。
3、化学性能稳定，几乎可耐一切无机酸（HF除外）和浓度在30%一下烧碱（NaOH）溶液的腐蚀，也能耐很多有机物质的侵蚀，对多种有色金属熔融体（特别是铝液）不润湿，能经受强烈的放射辐照。
4、密度低，比重小，是钢的2/5，电绝缘型好。
氮化硅陶瓷的应用初期主要用在机械、冶金、化工、航空、半导体等工业上，作某些设备或产品的零部件，取得了很好的预期效果。近年来，随着制造工业和测试分析技术的发展，氮化硅陶瓷制品的可靠性不断提高，因此应用面不断扩大。特别值得赞赏的是，正在研制氮化硅陶瓷发动机，并且已经取得了的很大进展，这在科学技术上成为举世瞩目的大事。 深圳耐腐蚀氮化硅陶瓷源头生产厂家氮化硅陶瓷配件加工定制--技术支持厂家--鑫鼎陶瓷。
氮化硅陶瓷是一种重要的结构材料，它是一种超硬物质，本身具有润滑性，并且耐磨损；除氢氟酸外，它不与其他无机酸反应，抗腐蚀能力强，高温时抗氧化. 而且它还能抵抗冷热冲击，在空气中加热到1,000℃以上，急剧冷却再急剧加热，也不会碎裂. 正是由于Si3N4 陶瓷具有如此优异的特性，人们常常利用它来制造轴承、气轮机叶片、机械密封环、长久性模具等机械构件. 如果用耐高温而且不易传热的氮化硅陶瓷来制造发动机部件的受热面，不仅可以提高柴油机质量，节省燃料，而且能够提高热效率. 中国及美国、日本等国家都已研制出了这种柴油机.
氮化硅陶瓷有七大特点，即耐热、抗热震、自润滑、耐腐蚀、耐磨损、比重小和脆性大。除第七项为缺点之外，其他几项特点使得其在航空领域发挥了巨大的作用。且脆性大的缺点也是可以通过连续纤维增韧的方式得到解决的。
航空航天领域里，对材料性能的要求十分苛刻，挑战着传统材料的极限。氮化硅陶瓷因具有高温强度、良好的断裂韧性、高硬度、高介电强度、出色耐热冲击性和摩擦学性能，应用于航空航天是一个很好的选择，能确保优异的机械可靠性和耐磨性。可用于控制卫星轨道的火箭燃烧室推进器，对材料要求很苛刻。由于高温燃烧能够获得更大的推进力，所以不但要求其材料质轻，且能够承受高温。
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氮化硅陶瓷作为现代工程陶瓷之一，硬度次于金刚石，具有热膨胀系数小、热导率高、化学稳定性好、耐磨性高、机械性能好、高温抗氧化等优异的物理化学性能。它已成为很有前途的结构陶瓷，可应用于石油化工、冶金机械、微电子器件、航空航天等领域。同时，氮化硅陶瓷还具有中子活性低、抗辐射损伤能力强和高温结构稳定性好的优点，成为新一代核裂变和未来核聚变反应堆的重要结构材料之一。
随着陶瓷的基础研究和新技术开发的不断进步，特别是复杂件和大型件制备技术的日臻完善，氮化硅陶瓷材料作为性能优良的工程材料将得到更广大的应用
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氮化硅陶瓷能表现出一系列优异的导热性能，使其适用于要求苛刻的半导体领域。热导率是材料传递或传导热量的固有能力，由于氮化硅独特的化学成分和微观结构，与氧化铝陶瓷、氮化铝陶瓷相比，具有优异的综合性能。氮化硅陶瓷一开始是作为不导热的结构陶瓷被广泛应用，其热导率为15W/(m·K)左右，直到1955年，Haggerty等理论计算出氮化硅的本征热导率应在200～320W/(m·K)之间。随后Hirosaki等采用分子动力学方法模拟计算了在β-Si3N4单晶中的能量传递规律，预测β-Si3N4沿a轴热导率为170W/(m·K)，沿c轴热导率为450W/(m·K)，模拟结果为高导热氮化硅陶瓷材料的研究提供了理论依据。实际制备氮化硅陶瓷热导率的数值与理论值差别较大，这主要是因为理论计算是按单个氮化硅晶粒进行计算的。实际情况要复杂的多，氮化硅陶瓷晶粒的大小、晶间氧和其他杂质的存在与否、晶间相含量的多少都对氮化硅热导率有非常大的影响。深圳耐腐蚀氮化硅陶瓷源头生产厂家
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