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选择振荡器时还需要考虑功耗。分立振荡器的功耗主要由反馈放大器的电源电流以及电路内部的电容值所决定。CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如，HC04反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，苏州无源晶振，相应地也需要更多的电流，苏州无源晶振。相比之下，苏州无源晶振，晶振模块一般需要电源电流为10mA ~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。晶振电路在电脑主板中的应用晶振电路在电脑主板上也是比较常见的。苏州无源晶振
周期性输出信号的标称频率（Normal Frequency），就是晶体元件规格书中所指定的频率，也是工程师在电路设计和元件选购时首要关注的参数。晶振常用标称频率在1～200MHz之间，比如32768Hz、8MHz、12MHz、24MHz、125MHz等，更高的输出频率也常用PLL（锁相环）将低频进行倍频至1GHz以上。输出信号的频率不可避免会有一定的偏差，我们用频率误差或频率稳定度，用单位ppm来表示，即百万分之一（1/106），是相对标称频率的变化量，此值越小表示精度越高。南京温控晶振售价普通晶体振荡器（SPXO）是一种简单的晶体振荡器，通常称为钟振。
串联型晶体振荡器的电路的振荡过程：接通电源后，三极管VT1、VT2导通，VT2发射极输出变化的Ie电流中包含各种频率的信号，石英晶体X1对其中的f0信号阻抗很小，f0信号经X1、RP1反馈到VT1的发射极，该信号经VT1放大后从集电极输出，又加到VT2放大后从发射极输出，然后又通过X1反馈到VT1放大，如此反复进行，VT2输出的f0信号幅度越来越大，VT1、VT2组成的放大电路放大倍数越来越小，当放大倍数等于反馈衰减系数时，输出f0信号幅度不再变化，电路输出稳定的f0信号。
由于晶体单元的振荡频率本身是由晶体单元的特性决定的，因此基本上不能改变。因此，在无线通信等中，可以采用根据所使用的频率来更换晶体单元的方法。然而，通过调整外部电容，±0几个％是约并应用此可能微调VXO（可变晶体振荡器），以允许电压控制将被替换为可变电容二极管的电容的VCXO（压控晶体振荡器，VCXO）具有电路，例如。此外，晶体振荡器和电压控制振荡器，一个数字电路，由于计数器组合电路和相位比较器等的频率合成器通过，所以能够获得任意的频率稳定的输出信号。晶振利用一种能把电能和机械能相互转化的晶体，在共振的状态下工作可以提供稳定、精确的单频振荡。
晶振的工作温度范围与温度频差：在提出温度频差时，应考虑设备工作引起的温升容限。当对温度频差要求很高，同时空间和功率都允许的情况下，应考虑恒温工作，恒温晶体振荡器就是为此而设计的。负载电容与频率牵引：在许多应用中，都有用一负载电抗元件来牵引晶体频率的要求，这在锁相环回路及调频应用中非常必要，大多数情况下，这个负载电抗呈容性，当该电容值为CL时，则相对负载谐振频率偏移量为：DL=C1/[2（C0+CL）]。而以CL作为可调元件由DL1调至DL2时，相对频率牵引为：DL1，L2= C1（CL1－CL2）/[2（C0+CL1）（C0+CL2）]。晶体与微处理器（CPU）相配合，形成晶体振荡电路，为CPU电路提供时钟振荡信号。苏州无源晶振
并联型晶体振荡器：三极管VT与R1、R2、R3、R4构成放大电路。苏州无源晶振
在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个皮法到几十皮法。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十豪亨到几百豪亨。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为100欧。苏州无源晶振
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