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在一般情况下，晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小，但当外加交变电压的频率为某一特定值时，振幅明显加大，比其他频率下的振幅大得多，这种现象称为压电谐振，它与LC回路的谐振现象十分相似。它的谐振频率与晶片的切割方式、几何形状、尺寸等有关。当晶体不振动时，可把它看成一个平板电容器称为静电电容C，它的大小与晶片的几何尺寸、电极面积有关，一般约几个皮法到几十皮法。当晶体振荡时，机械振动的惯性可用电感L来等效。一般L的值为几十豪亨到几百豪亨，上海2016晶振报价，上海2016晶振报价。晶片的弹性可用电容C来等效，C的值很小，一般只有0.0002～0.1皮法，上海2016晶振报价。晶片振动时因摩擦而造成的损耗用R来等效，它的数值约为100欧。恒温控制式晶体振荡器是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定。上海2016晶振报价
一种是皮尔斯振荡器配置晶振，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。上海2016晶振报价数字式间接温度补偿是在模拟式间接温度补偿电路中的温度。
石英晶体振荡器分为非温度补偿式晶体振荡器、温度补偿式晶体振荡器、电压控制晶体振荡器、恒温控制式晶体振荡器和数字化/μp补偿式晶体振荡器等几种类型。其中，非温度补偿式晶体振荡器是较简单的一种，在日本工业标准中称之为标准封装晶体振荡器。恒温控制式晶体振荡器。恒温控制式晶体振荡器是利用恒温槽使晶体振荡器或石英晶体振子的温度保持恒定，将由周围温度变化引起的振荡器输出频率变化量削减到较小的晶体振荡器，在OCXO中，有的只将石英晶体振子置于恒温槽中，有的是将石英晶体振子和有关重要元器件置于恒温槽中。
晶振的指标，标称频率：振荡器输出的中心频率或频率的标称值。频率准确度：振荡器输出频率在室温（25℃±2℃）下相对于标称频率的偏差。调整频差：在指定温度范围内振荡器输出频率相对于25℃时测量值的较大允许频率偏差。负载谐振频率（fL）：在规定条件下，晶体与一负载电容相串联或相并联，其组合阻抗呈现为电阻性时（产生谐振）的两个频率中的一个频率。在串联负载电容时，负载谐振频率是两个频率中较低的一个，在并联负载电容时，则是两个频率中较高的一个。晶振中C3为交流旁路电容，对交流信号相当于短路。
晶振的指标，负载电容：与晶体一起决定负载谐振频率FL的有效外界电容，用CL表示。负载电容系列：8PF 12PF 15PF 20PF 30PF 50PF 100PF。激励电平：晶体工作时所消耗功率的表征值。激励电平可选值有：2mW、1mW、0.5mW、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW 等。老化率：在确定时间内输出频率的相对变化。基频：在振动模式较低阶次的振动频率。泛音：晶体振动的机械谐波。泛音频率与基频频率之比接近整数倍但不是整数倍，这是它与电气谐波的主要区别。泛音振动有3次泛音，5次泛音，7次泛音，9次泛音等。串联型晶体振荡器采用了两级放大电路，石英晶体X1构成反馈电路。上海2016晶振报价
标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。上海2016晶振报价
单片机晶振与速度的疑问，执行一条指令的周期不是由晶振决定的吗。那么比如51单片机和MSP430，给51接高速晶振，430接低速的，是不是51跑的要快？是不是速度单片机速度光光与晶振有关，关键是单片机能不能支持那么大的晶振？每个单片机的速度是受到内部逻辑门电平跳变速度的。对于一个51，给他用更高的晶振，速度会快些。但是对于高级的单片机就不一样了。高级单片机内部，一般都是有频率控制寄存器的，所以，简单的增加晶振，可能达到单片机的极限，导致跑飞。上海2016晶振报价
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