武汉干扰源近场辐射实验室 扬芯科技供应

为什么要进行EMC合规性预测试？随着电气电子技术的发展，家用电器产品日益普及和电子化，广播电视、邮电通讯和计算机网络的日益发达，电磁环境日益复杂和恶化，使得电气电子产品的电磁兼容 性（EMC电磁干扰EMI与电磁抗EMS）问题也受到各国有关部门和生产企业的日益重视，武汉干扰源近场辐射实验室。电子、电器产品的电磁兼容性（EMC）是一项非常重要的质量指标，它 不只关系到产品本身的工作可靠性和使用安全性，武汉干扰源近场辐射实验室，武汉干扰源近场辐射实验室，而且还可能影响到其他设备和系统的正常工作，关系到电磁环境的保护问题。在性能评价中，近场向远场的释放量构成了远场模式计算的源项。武汉干扰源近场辐射实验室

低副瓣或很低副瓣天线的测量，天线方向图副瓣电平在-28～-35 dB之间的天线称为低副瓣天线；副瓣电平小于-40 dB的天线称为很低副瓣天线。对它们的测量要用到“零探头”技术，据文献报导，副瓣电平在-40 dB以上时，测量精度为±3 dB，副瓣电平为-55 dB时，测量精度为±5 dB。天线口径场分布诊断是通过测量天线近区场的分布逆推出天线口径场分布，从而判断出口径场畸变处所对应的辐射单元，这就是天线口径分布诊断的基本原理。该方法对具有一维圆对称天线口径分布的分析是可靠的，尤其对相控阵天线的分析与测量已有了充分的可信度。武汉干扰源近场辐射实验室在天线的各元件间生成了电场，极性每半个周期变换一次。

EMI辐射近场探头是用于配合频谱分析仪查找干扰源的设备。产品性能：EMI辐射近场探头（DC-9G）适合任何频谱分析仪、示波器或EMI测试接收机，频率范围超宽，满足您现在以及未来的测量需求。（DC-9G）包括4个磁场探头和1个电场探头，所有探头均覆盖绝缘层。配备手握式三角架，固定探头组，以消除抖动带来的影响。产品特点：覆盖有绝缘层的安全措施；非常方便的设计包括涂橡胶握把；非常小的尺寸，完善精确的干扰源定位；可以由一个信号源驱动产生的电磁敏感性测试领域。

天线近场测量可以给出天线各个截面的方向图以及立体方向图，可以分析出方向图上的所有电参数（波束宽度、副瓣电平、零值深度、零深位置等）和天线的极化参数（轴比、倾角和旋向）以及天线的增益。辐射近场测量的研究起始于50年代，70年代中期处于推广应用阶段（商品化阶段）。目前，分布在世界各地的近场测量系统已有100多套。该技术的基本理论已基本成熟，这种测量方法的电参数测量精度比常规远场测量方法的测量精度要高得多，而且可全天候工作，并具有较高的保密性，因此，在民用中都显示出了它独特的优越性。天线旁边的磁场呈球形或弧形，特别是距离天线近的磁场。

近场 EMI 测量的问题在于使用近场探头的测量结果和使用天线进行远场测量的结果无法直接进行数学转换。但是存在一个基本原理：近场的辐射越大，远场的辐射也必然越大。所以使用近场探头测量，实际上是一个相对量的测量，而不是精确的一定量测量。使用近场探头进行 EMI 预兼容测试时，我们常常把新被测件测试结果和一个已知合格被测件的近场探头测试（近场测试）结果进行比较，来预测EMI 辐射泄漏测试（远场测试）的结果，而不是直接和符合EMI兼容标准的限制线进行比较。同时，测试的一定数值意义也不大，因为这个测试结果和诸多变量，包括探头的位置方向、被测件的形状等会密切相关。天线应位于正弦波左侧起始的位置。武汉干扰源近场辐射实验室

近区场的电磁场强度比远区场大得多。武汉干扰源近场辐射实验室

目标成像的研究已有几十年的历史了，其研究成果早已用于医学的X光诊断及雷达的目标识别。用近场研究目标的像是80年代末才开始的，它是在已知目标散射近场和入射场情况下，利用微波分集技术，逆推或反演表征目标几何特征的目标函数，由目标函数给出目标的几何形状，这一过程称为目标的近场成像。这种测量方法的另一致命弱点是测量时间很长，测量时间与取样点数几乎成四次方的关系，实用目标的测量时间达到了不可容忍的程度。测量环境对散射近场测量散射体电特性也有很大的影响，除了在测量区域附加吸收材料外，还需要用到“背景对消技术”，其基本原理为：在无散射体的情况下，先用收、发探头对测量区域空间扫描一次，并记录采样数据；在有散射体的情况下，记录这时扫描测量的采样数据，在保证一维扫描器（取样架）定位精度的条件下，利用计算机软件对两次对应位置的测量数据逐点进行矢量相减（复数相减），这样就消除了环境对测量数据的影响。武汉干扰源近场辐射实验室

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