长沙手机EMI分析整改接地 扬芯科技供应

我们来分析一下EMI的产生，忽略自然干扰的影响，在电子电路系统中我们主要考虑是电压瞬变和信号的回流这两方面。对于电磁干扰的分析，可以从电磁能量外泄方面来考虑，如果器件向外泄露的能量越少，我们可以认为产生的电磁干扰就比较小。对于高速的数字器件来说，产生高频交流信号时的电压瞬变是产生电磁干扰的一个主要原因。我们知道，数字信号在开关输出时产生的频谱不是单一的，而是融合了很多高次谐波分量，这些谐波的振幅(即能量)由器件的上升或者下降时间来决定，信号上升和下降速率越快，即开关频率越高，则产生的能量越多。所以，长沙手机EMI分析整改接地，如果器件在很短的时间内完成很大的电压瞬变，长沙手机EMI分析整改接地，长沙手机EMI分析整改接地，将会产生严重的电磁辐射，这个电磁能量的外泄就会造成电磁干扰问题。固有的电流及电压波形，以非常快速的开关时间变化。长沙手机EMI分析整改接地

对于电源产品主要有的敏感元器件就是变压器、MOS 管、二极管。所以只要解决好这三个方面的协调问题EMC 就不难搞定。而解决EMC 的方法概括来说就是：消除干扰源、切除干优传导的途径、疏导干扰源。原板上所用变压器，只在外面增加一个屏蔽层。测试可以通过不过余量很小只有1dB。显然来能保障批量生产可能造成的不确定性。根据以上的情况做了第二次修改，将变压器更新成前面提到过的改变了绕线方式的变压器。用频谱分析仪重新查看了一产品的变压器的位置和MOS 管的位置。发现MOS 管的位置曲线不是有点高，并且成有规律的波形。用频谱分别对MOS 管的G、D、S 三个脚接触看一下是哪个脚是辐射源，发现D 极的辐射源大。于是我在D 极上串了一个通用的插件磁珠。长沙手机EMI分析整改接地接地杂讯电压就会导致地环路干扰的产生。

电源适配器EMI确实很难理解，很难有精确的纸面设计，但是通过研究我们还是能知道大概趋势指导设计，一般来讲，投放市场的电源适配器都是符合对应的EMI标准的，当然这里指的是民用标准。若是用军标测试，相应的会严格一些，所以EUT测试超标很正常。对电源适配器的EMI和EMC主要影响的几个因素在于电源适配器的开关电路,电路板设计和接地电路以及开关电路等各个功能电路等方面.a.消除就是用将干扰源通过热能的方式损耗掉，这种是制本的方式。b.切除干扰传导的途径就是将干扰向外传递的路径切断，使其无法向外干扰，也就是我们常做的滤波，屏蔽等方法。c.疏导干扰源这种就是将干扰源引到不是敏感的元器件上如旁路，去藉，接地等方式.

EMI 分为传导与辐射两部分，对于 EMI 解决方案，相关理论书籍也很多，作为一位电源产品开发工程师，即使你看了很多 EMI 处理方面的书籍，但碰到处理 EMI 问题，还是无从下手，或是不能对症下药，在这儿我们不妨先抛开让人难以理解的理论，针对我们在处理实际 EMI 问题的一些经验对策总结，也欢迎有同样经验的工程师也来发表自己的看法，1MHZ 以内，以差模干扰为主。1、增大 X 电容量；2、添加差模电感；率电源可采用 PI 型滤波器处理(建议靠近变压器的电解电容可选用较大些)。1MHZ-5MHZ，差模共模混合，采用输入端并联一系列 X 电容来滤除差摸干扰并分析出是哪种干扰超标并以解决，。在开关电源中压制噪声是非常有商业技巧的，理想的EMI及RFI会用一点点电路。

20-30MHZ，（整改建议）1、对于一类产品可以采用调整对地 Y2 电容量或改变 Y2 电容位置；2、调整一二次侧间的 Y1 电容位置及参数值；3、在变压器外面包铜箔；变压器里层加屏蔽层；调整变压器的各绕组的排布。200MHZ 以上，开关电源已基本辐射量很小，一般均可过 EMI 标准。修改 Inlet 上 L.N 对 GND 并的 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），对辐射的 50MHz-110MHz，190MHz-240MHz 均有改善.高压地对 Case 地跨 CY 电容（容量范围 470PF-4700PF），对辐射 40MHz-55MHz，80MHz-130MHz，160MHz-180MHz，均有改善。高压电容正负极并瓷片电或 SMD 电容（容量范围1000PF-4700PF/1KV），对辐射 40MHz-90MHz，110MHz-170MHz 均有改善。在输出端合理配置电感或铁氧体磁珠，这样电路动态功率将从近端的电容获取。长沙手机EMI分析整改接地

辐射源遮罩能够极大限度的解决EMI问题。长沙手机EMI分析整改接地

不同的电源有不同的要求。真正的实际应用中还有很多限制的，确实如此，板框导致布局的限制，空间的限制，EMI 线路放不下，比如可控硅调光电源 X 电容不能太大，加太大了，灯会闪烁。有时电源不能加 Y 电容等。EMI 整改：1、对于差模干扰超标可调整 X 电容量,添加差模电感器，调差模电感量；2、对于共模干扰超标可添加共模电感,选用合理的电感量来压制；3、也可改变整流二极管特性来处理一对快速二极管如 FR107 一对普通整流二极管 1N4007。5M 以上，以共摸干扰为主，采用压制共摸的方法（整改建议）对于外壳接地的，在地线上用一个磁环串绕 2-3 圈会对 10MHZ 以上干扰有较大的衰减作用; 可选择紧贴变压器的铁芯粘铜箔, 铜箔闭环.处理后端输出整流管的吸收电路和初级大电路并联电容的大小。长沙手机EMI分析整改接地

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