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激光二极管------LD&LED区别

      在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。

      二者在原理、架构、效能上的差别。

   （1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，提供红光激光二极管的价格，而LD是受激辐射复合发光。

   （2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，提供红光激光二极管的价格，LED没有谐振腔，提供红光激光二极管的价格。

   （3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。

激光二极管------波长&应用    

      半导体激光依波长及应用，大致可分为短波长与长波长激光两大类。短波长激光包含发光波长由390纳米到950纳米的激光，主要使用于光驱、激光打印机、条形码机、扫描仪及指示器等光信息及显示的应用；长波长激光则涵盖发光波长由980纳米至1550纳米之激光，主要用于光纤通讯。

以激光二极管的波长及操作的功率分类，从短波长到长波长激光二极管种类细分为以下四类。

（1）390～550纳米

（2）635～670纳米

（3）750～950纳米

（4）980～1550纳

常用的激光二极管种类有两种:①PIN光电二极管。它在收到光功率产生光电流时，会量子噪声。②雪崩光电二极管。它提供内部放大,比PIN光电二极管的传输距离远，但量子噪声更大。的信噪比，光检测器件须连接低噪声预放大

激光二极管------主要参数介绍

    波长nm：激光器工作波长，例如405nm，450nm，505nm，520nm，635nm，650nm，670nm，685nm，780nm，808nm，830nm，850nm，905nm，940nm。

  阈值电流Ith：激光二极管开始产生激光振荡的电流，对小功率激光器而言其值约在数十毫安。

  工作电流Iop：激光二极管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。

  垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在与PN结垂直方向张开的角度，一般在15~40左右。

  水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度，一般在6~ 10左右。

  监控电流Im ：激光二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。

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