[VIP第1年] 指数:3
激光二极管------激光二极管发展趋势
在上世纪八十年代，**的激光二极管的输出功率已经在100mW以上，并达到了39％的转化效率。等到了90年代，美国人又一次将指标提高一个新的水平，达到了45％的转化效率，就输出功率来看，也从W到了KW级的转变。
目前各国在研制项目的支持下，半导体激光器的芯片结构、外延生长和器件封装等激光器技术均有了长足发展，单元器件的性能也实现了重大突破：电光转换效率达70％以上，很低的光束发散角，四川780nm激光二极管数量，单巴条连续输出功率超过千瓦，采用碳纳米（CN）热沉使激光器的冷却效率比传统的半导体巴条安装技术可提高30％。100μm条宽单管输出功率达到24．6W，四川780nm激光二极管数量，四川780nm激光二极管数量，大功率连续工作寿命长达数万小时。
高-效能大功率的半导体激光器也迅速发展为全固化激光器，从而使得LDP固体激光器获得了全新的发展机遇和前景。
激光二极管------产生条件
实现粒子数反转、满足阈值条件谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中要把价带内的电子抽运到导带。离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，，在外加电压作用下，在结区附近就了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激发物质所发出的受激辐射光在两个反射镜来回反射，引起新的受激辐射，使其被放大。只有受激辐射放大的增益大于激光器内的各种损耗，即满足的阈值条件: P1P2exp(2G - 2A) ≥ 1
激光二极管------LD&LED区别
在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。
二者在原理、架构、效能上的差别。
（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。
（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。
（3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。
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