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激光二极管------激光二极管发展

     自1962年发明了世界上***）台半导体激光器以来，内蒙古780nm激光二极管价格，半导体激光器发生了巨大的变化，极大地推动了其他科学技术的发展，内蒙古780nm激光二极管价格。

     近年来用于信息技术领域的小功率半导体激光器发展极快。如用于光纤通信的DFB和动态单模的激光二极管以及在光盘处理中大量应用的可见光波长的激光二极管，甚至是超短脉冲的激光二极管都得到了大幅度的革新性进步，内蒙古780nm激光二极管价格。

     小功率激光二极管其自身还拥有这高集成、高速率以及可调谐的发展特征。大型高功率半导体激光器的发展速度也不断加快。

激光二极管------波长980nm~1550nm

      激光二极管波长分类4. 980～1550纳米：此波段的激光二极管主要用砷化铝镓铟和砷磷化铟镓材料系列所制成，通常应用在长距离的光纤通讯，操作功率大于数10毫瓦至1瓦的激光二极管。其中**的是使用具有单模、稳频操作的1310纳米或1550纳米激光二极管，以做为光纤通讯的光源。，也用在光纤放大器的激发源的980纳米或1480纳米激光二极管。长距离光纤通讯朝向高传输速率及波长多任务系统发展，使用光纤放大器取代传统的电子式中继站正迅速发展。

激光二极管------LD&LED区别

      在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。

      二者在原理、架构、效能上的差别。

   （1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。

   （2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。

   （3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。

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