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激光二极管------红外激光700nm-940nm
红外激光二极管是指可在一个频率上产生相干红外光束的半导体二极管，通常是由砷化镓(gaas)或掺杂有铟和铝之类其他材料的砷化镓制成。它能有效节能，具有稳定、可靠的特性，提供市场上高质量和激光器的性能。
红外激光二极管根据激光的发射原理及产生过程的特殊性决定了激光具有普通光所不具有的特点：即三好（单色性好，广西405nm激光二极管品牌、相干性好、方向性好）一高（亮度高），广西405nm激光二极管品牌，广西405nm激光二极管品牌。
红外激光二极管应用：1.人体互动 2.热成像 3.激光探测定位 4.医疗设备 5.激光防伪识别 6.激光理疗类
激光二极管------辐射过程
在讲激光产生机理之前，先讲一下受激辐射。在光辐射中存在三种辐射过程，
一时处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为自发辐射；
二是处于高能态的粒子在外来光的激发下向低能态跃迁，称之为受激辐射；
三是处于低能态的粒子吸收外来光的能量向高能态跃迁称之为受激吸收。
自发辐射，即使是两个从某一高能态向低能态跃迁的粒子，发出光的相位、偏振、发射方向也不同，但受激辐射就不同，当位于高能态的粒子在外来光子的激发下向低能态跃迁，发出在频率、相位、偏振等与外来光子的光。在激光器中，发生的辐射受激辐射，它发出的激光在频率、相位、偏振等一样。的受激发光系统，即有受激辐射，也有受激吸收，只有受激辐射占优势，才能把外来光放大而发出激光。而光源中都是受激吸收占优势，只有粒子的平衡态被打破，使高能态的粒子数大于低能态的粒子数（称为离子数反转），才能发出激光。
激光二极管------激光二极管发展趋势
在上世纪八十年代，**的激光二极管的输出功率已经在100mW以上，并达到了39％的转化效率。等到了90年代，美国人又一次将指标提高一个新的水平，达到了45％的转化效率，就输出功率来看，也从W到了KW级的转变。
目前各国在研制项目的支持下，半导体激光器的芯片结构、外延生长和器件封装等激光器技术均有了长足发展，单元器件的性能也实现了重大突破：电光转换效率达70％以上，很低的光束发散角，单巴条连续输出功率超过千瓦，采用碳纳米（CN）热沉使激光器的冷却效率比传统的半导体巴条安装技术可提高30％。100μm条宽单管输出功率达到24．6W，大功率连续工作寿命长达数万小时。
高-效能大功率的半导体激光器也迅速发展为全固化激光器，从而使得LDP固体激光器获得了全新的发展机遇和前景。
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