[VIP第1年] 指数:3
南京工业大学与浙江大学团队合作报道了外量子效率为，为当时的高纪录，也是国内在此领域的首篇论文。随后，北京理工大学和南京理工大学相继报道了基于量子点的钙钛矿LED。2016年，南京工业大学采用具有多量子阱结构的钙钛矿实现了外量子效率突破10%的近红外钙钛矿LED，相关成果于2016年发表于《NaturePhotonics》。采用类似方法，中国科学院半导体研究所将绿光钙钛矿LED的外量子效率提高到。2018年，南京工业大学将近红外钙钛矿LED外量子效率提升至，性能媲美已产业化的有机和量子LED。同年，华侨大学”州将绿光钙钛矿LED的EQE提升至。这两项国内成果被《Nature》邀请的领域评述为“突破性成果”，“是钙钛矿材料在发光二极管中应用的里程碑式跨越”，“使钙钛矿LED技术突破性能障碍，将推动钙钛矿LED的产业化发展”。总体来说，目前我国在钙钛矿LED研究方面处于地位，特别是在高亮度、高稳定性钙钛矿发光器件方面，已经取得具有自主知识产权。有世界影响力的创新成果。[2]尽管钙钛矿LED的研究已经取得了很大的进展，但其发展仍然面临着诸多挑战。首先，钙钛矿LED的稳定性问题需要解决。目前通过材料设计、器件结构及界面优化等方法已大提升了钙钛矿LED的稳定性。
因此务必在齐纳二极管有电流经过时进行检查。理想的情况是正负温度系数完全相互抵消，但是这不切实际也没有必要，简单的改进便已足够。在二极管具有高电压且正温度系数更高的情况下，可以使用两个（或两个以上）二极管改进抵消的效果。图2显示了在工作温度范围为25°C~100°C时，在没有串联二极管、串联一个二极管和串联两个二极管的情况下，图1中计算得出的电压调整偏差与不同齐纳二极管输出电压的对比情况。图2中的垂直线显示增加串联二极管后，在，与温度相关的误差可以减少3~5%。图2：将一个或多个二极管与电压值超过。第2个例子中使用了转换器，该转换器要求电平移位器向控制电路发送输出电压信息。图3是一个负输入到正输出的反相降压-升压电路。控制电路以-Vin轨为基准，输出电压以接地端为基准。为了使控制电路精确调整输出电压，电平移位器重建了“FB和-Vin”间的差分“Vout到GND”电压。在这一实现中，约等于（Vout-VbeQ1）/R的电流源从Vout流向Vin。电流在较低电阻中流动，重建以-Vin为基准的输出电压。增加Q2，配置成二极管，可以恢复Q1产生的Vbe压降损失。此时，除了与beta相关的小误差，FB引脚处的电平位移电压差不多复制了Vout和GND间的电压。
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