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上海强茂二极管公司 欢迎咨询 深圳市巨新科电子供应

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所在地: 广东省
***更新: 2022-08-31 00:18:51
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产品详细说明

    折叠式共源共栅运放结构的一运算放大器op1包括十pmos管m1,上海强茂二极管公司、十一pmos管m2、十二pmos管m3、十三pmos管m4、十四pmos管m5、十五pmos管m6、十六pmos管m7,上海强茂二极管公司、十七pmos管m8、十八pmos管m9、十九pmos管m10、一nmos管m11、二nmos管m12、三nmos管m13、四nmos管m14、五nmos管m15、六nmos管m16、七nmos管m17、八nmos管m18和四电阻r0,其中十八pmos管m9和十九pmos管m10作为一运算放大器op1的输入对管,其衬底均连接电源电压;六nmos管m16的栅极连接七nmos管m17和八nmos管m18的栅极以及五nmos管m15的栅极和漏极并连接基准电流iref,上海强茂二极管公司,其源极连接八nmos管m18的漏极,其漏极连接十一pmos管m2、十三pmos管m4、十五pmos管m6和十七pmos管m8的栅极以及四电阻r0的一端;七nmos管m17的漏极连接五nmos管m15的源极,其源极连接八nmos管m18、三nmos管m13和四nmos管m14的源极并接地;十pmos管m1的栅极连接十二pmos管m3、十四pmos管m5和十六pmos管m7的栅极、十一pmos管m2的漏极和四电阻r0的另一端,其源极连接十二pmos管m3、十四pmos管m5和十六pmos管m7的源极并连接电源电压,其漏极连接十一pmos管m2的源极;十二pmos管m3的漏极连接十三pmos管m4的源极,十四pmos管m5的漏极连接十五pmos管m6的源极。乐山、强茂、捷捷微二极管找巨新科。上海强茂二极管公司

    ex4)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)7.实施例5(ex5)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)8.实施例6(ex6)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)9.实施例7(ex7)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:30重量%,磷光掺杂剂:%)10.实施例8(ex8)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:20重量%,磷光掺杂剂:%)11.实施例9(ex9)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:20重量%,磷光掺杂剂:%)12.实施例10(ex10)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%,延迟荧光掺杂剂:40重量%,磷光掺杂剂:%)13.实施例11(ex11)使用式15的延迟荧光掺杂剂和式16的磷光掺杂剂作为掺杂剂以形成eml(基质:%。北京贴片二极管专卖店强茂稳压二极管原装现货。

    发光部分530、cgl580、第二发光部分550、第二cgl590和第三发光部分570顺序堆叠在电极510上。换言之,发光部分530被定位在电极510与cgl580之间,第二发光部分550被定位在cgl580与第二cgl590之间。此外,第三发光部分570被定位在第二电极512与第二cgl590之间。发光部分530可以包括顺序堆叠在电极510上的hil532、htl534、eml520和etl536。即,hil532和htl534被定位在电极510与eml520之间,hil532被定位在电极510与htl534之间。此外,etl536被定位在eml520与cgl580之间。eml520包含延迟荧光掺杂剂522和磷光掺杂剂524。延迟荧光掺杂剂522具有发射波长范围,磷光掺杂剂524具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。第二比较大发射波长比比较大发射波长更长(更大)。例如,发射波长范围可以为绿色波长范围,第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂522可以由式1或式3表示,磷光掺杂剂524可以由式5表示。磷光掺杂剂524相对于延迟荧光掺杂剂522的重量百分比等于或小于约5%。例如,磷光掺杂剂524相对于延迟荧光掺杂剂522的重量百分比可以在约%至%,推荐地约%至%的范围内。尽管未示出,但是eml520还可以包含基质。基质可以在eml520中具有约50%至80%的重量百分比。

    以及磷光掺杂剂244具有与发射波长范围不同的第二发射波长范围。例如,发射波长范围可以为绿色波长范围,以及第二发射波长范围可以为红色波长范围。延迟荧光掺杂剂242可以由式1或式3表示,磷光掺杂剂244可以由式5表示。磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比等于或小于约5%。例如,磷光掺杂剂244相对于延迟荧光掺杂剂242的重量百分比可以在约%至%的范围内,推荐约%至%。尽管未示出,但是eml240还可以包含基质。基质可以在eml240中具有约50%至80%的重量百分比,并且可以由式7-1或式7-2表示。第二发光部分270可以包括第二htl272、第二eml260、第二etl274和eil276。第二htl272被定位在cgl280与第二eml260之间,第二etl274被定位在第二eml260与第二电极230之间。此外,eil276被定位在第二etl274与第二电极230之间。第二eml260包含蓝色掺杂剂262。蓝色掺杂剂262具有与eml240中的延迟荧光掺杂剂242和磷光掺杂剂244相比更短的发射波长范围。例如,蓝色掺杂剂262可以为荧光化合物、磷光化合物和延迟荧光掺杂剂中的一者。尽管未示出,但是第二eml260还可以包含基质。相对于基质,蓝色掺杂剂262的重量百分比可以为约1%至40%,推荐为3%至40%。捷捷微二极管找巨新科。

    附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解,构成本申请的一部分,本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明,并不构成对本发明的不当限定。在附图中:图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一;图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图;图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图;图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二;图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图;图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图;图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是,在不矛盾的情况下,本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统,图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一,如图1所示,该系统包括:发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15;该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值,并发送给该微控制器15;该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。原装进口二极管找巨新科。重庆发光二极管销售

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    基质的重量百分比为约50%至80%。相对于基质,延迟荧光掺杂剂152的重量百分比可以为约20%至70%,磷光掺杂剂154的重量百分比可以为约%至2%。基质可以由式7-1或式7-2表示。[式7-1][式7-2]在式7-1中,x为o、s或nr,以及r为c6-c30芳基。在式7-1和式7-2中,y为o或s。在式7-1和式7-2中,r1至r15各自地选自氢、c1-c20烷基、c1-c20烷氧基、c1至c20烷基甲硅烷基、c6-c30芳基、c5-c30杂芳基和胺。例如,基质可以选自式8。[式8]有机发光层140还包括在电极120与eml150之间的空穴传输层(htl)164、在电极120与htl164之间的空穴注入层(hil)162、在eml150与第二电极130之间的电子传输层(etl)174和在etl174与第二电极130之间的电子注入层(eil)176。hil162、htl164、etl174和eil176中的至少一者可以省略。此外,有机发光层140还可以包括在htl164与eml150之间的电子阻挡层(ebl)166和在eml150与etl174之间的空穴阻挡层(hbl)172。ebl166和hbl172中的至少一者可以省略。oledd1包含发射绿色光的延迟荧光掺杂剂152和具有比延迟荧光掺杂剂152更小的重量百分比并发射红色光的磷光掺杂剂154,使得发射绿色波长范围的光和红色波长范围的光二者。即,在oledd1中。上海强茂二极管公司

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