[VIP第1年] 指数:3
在照明装置中，需要具有宽的半高全宽(fwhm)以提供高的色彩连续性的发光。为了提供w-oled，需要红色发光材料、绿色发光材料和蓝色发光材料。然而，未开发出具有宽的fwhm的红色延迟荧光材料，广州稳压二极管公司。因此，需要开发具有高的色彩连续性和高的发光效率的发光材料层。技术实现要素：因此，本公开内容涉及有机发光二极管(oled)和包括其的有机发光显示装置，其基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而引起的一个或更多个问题。本发明的另外的特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将根据该描述而显而易见，或者可以通过本发明的实践而获知。本发明的目的和其他优点将通过书面说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。为了实现这些和其他优点并且根据本公开内容的目的，如本文所体现和广描述的，有机发光二极管包括：电极；面向电极的第二电极；以及包含延迟荧光掺杂剂和磷光掺杂剂并布置在电极与第二电极之间的发光材料层，广州稳压二极管公司，广州稳压二极管公司，其中磷光掺杂剂相对于延迟荧光掺杂剂的重量百分比等于或小于5％。在另一方面，有机发光显示装置包括：基板；有机发光二极管。深圳捷捷微二极管代理商公司。广州稳压二极管公司
该微控制器15获取该发光二极管11周围的该热敏电路ntc电路的热敏电阻ntc的阻值，依据温度阻值曲线图(厂家提供的温度-阻值曲线图)获取该热敏电阻ntc的第二温度值，依据该热敏电阻ntc的第二温度值确定该发光二极管11的该良好温度值，该ntc离发光二极管距离比较近的情况下，该第二温度值可以确定为该发光二极管11的良好温度值。在本发明的一个实施例中，提供了一种发光二极管11的控制方法，图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图，如图7所示，该方法包括如下步骤：步骤s702,获取发光二极管良好温度值和良好压差值，依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取第二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；步骤s704,获取发光二极管的电流值，依据该第二压差值和该电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下，发送报警信息。通过上述步骤s702至s704，发光二极管11出厂工作后，微控制器15自主控制该发光二极管11的电流。重庆开关二极管代理乐山开关二极管原装现货。
显示装置300包括：其中限定有红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp的基板310、面向基板310的第二基板370、在基板310与第二基板370之间的oledd2和在oledd2与第二基板370之间的滤色器层380。oledd2向滤色器层380提供白光。基板310和第二基板370各自可以为玻璃基板或塑料基板。例如，基板310和第二基板370各自可以为聚酰亚胺基板。在基板上形成有缓冲层320，以及在红色像素rp、绿色像素gp和蓝色像素bp中的每一者的缓冲层320上形成有薄膜晶体管(tft)tr。缓冲层320可以省略。在缓冲层320上形成有半导体层322。半导体层322可以包含氧化物半导体材料或多晶硅。当半导体层322包含氧化物半导体材料时，可以在半导体层322下方形成光屏蔽图案(未示出)。到半导体层322的光被光屏蔽图案屏蔽或阻挡，使得可以防止半导体层322的热降解。另一方面，当半导体层322包含多晶硅时，可以在半导体层322的两侧中掺杂杂质。在半导体层322上形成有栅极绝缘层324。栅极绝缘层324可以由无机绝缘材料例如硅氧化物或硅氮化物形成。在栅极绝缘层324上形成有由导电材料(例如金属)形成的栅极电极330以与半导体层322的中心相对应。在图6中，栅极绝缘层324形成在基板310的整个表面上。或者。
具体实施方式下面结合附图和具体实施例对本发明进行详细的描述。本发明提出一种基于负压调节的雪崩光电二极管偏压调节电路，包括像素外偏置电压产生模块和像素内偏压调节模块，如图1所示，像素外偏置电压产生模块包括一运算放大器op1、二运算放大器op2、一pmos管mp1、二pmos管mp2、三pmos管mp3、四pmos管mp4、一电阻r1、二电阻r2、一电流源i1和二电流源i2，一运算放大器op1的正相输入端连接基准电压vref，其反相输入端连接二pmos管mp2的源极和一电流源i1，其输出端连接一pmos管mp1的栅极；一pmos管mp1的源极连接电源电压，其漏极连接二pmos管mp2的栅极并通过一电阻r1后连接负电源电压vne；二运算放大器op2的正相输入端接地，其反相输入端连接四pmos管mp4的源极和二电流源i2，其输出端连接三pmos管mp3的栅极；三pmos管mp3的源极连接电源电压，其漏极连接四pmos管mp4的栅极并通过二电阻r2后连接负电源电压vne；二pmos管mp2和四pmos管mp4的漏极连接负电源电压vne。二pmos管mp2和四pmos管mp4用于产生一运算放大器op1和二运算放大器op2的反相输入端信号，一电流源i1和二电流源i2用于为二pmos管mp2和四pmos管mp4提供偏置电流。捷捷微大功率二极管原装现货。
附图说明此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本申请的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一；图2是根据发明实施例的压降和温度的初始工作统计示意图；图3是根据发明实施例的压降和电流的初始工作统计示意图；图4是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图二；图5是根据本发明实施例的运放差分输入电路的示意图；图6是根据本发明实施例的热敏电阻ntc温度采集电路的示意图；图7是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制方法的流程图。具体实施方式下文中将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。需要说明的是，在不矛盾的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。本发明的实施例提供了一种发光二极管的控制系统，图1是根据本发明实施例的一种发光二极管的控制系统的结构框图一，如图1所示，该系统包括：发光二极管11、驱动板12、电压采集电路13、温度采集电路14和微控制器15；该温度采集电路14获取该发光二极管11良好温度值，并发送给该微控制器15；该电压采集电路14获取该发光二极管11的压差值。华强北强茂正规代理商。上海进口二极管厂家
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依据温度阻值曲线图获取所述热敏电阻ntc的第二温度值，依据所述热敏电阻ntc的第二温度值确定所述发光二极管的所述良好温度值。根据本发明的一个方面，还提供了一种医疗设备，包括存储器、处理器和发光二极管，所述存储器存储有计算机程序，所述处理器执行所述计算机程序时实现上述发光二极管的控制方法的步骤。根据本发明的一个方面，还提供了一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现上述发光二极管的控制方法的步骤。通过本发明，获取发光二极管良好温度值和良好压差值，依据该良好温度值和该良好压差值，调用预存储的良好校准数据表进行良好对比，依据该良好对比的结果对该良好压差值进行校准后，获取第二压差值，良好校准数据表为该发光二极管的初始温度值和该初始电压值统计表；获取发光二极管的电流值，依据该第二压差值和该电流值，调用预存储的第二校准数据表进行第二对比，第二校准数据表为该发光二极管的初始压差值和初始电流值统计表，在该第二对比的结果不符合预设阈值的情况下，发送报警信息，解决了单个led灯的使用寿命无法准确预测的问题，实现了单个led灯的使用寿命的准确预测和报警。广州稳压二极管公司
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