湖南低正向肖特基二极管阵列 上海来明电子供应

    变容二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其比较大值为几十pF到几百pF，比较大电容与**小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。图2变容二极管与反向偏压变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如图2所示。2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解：(a)反向偏压增加，造成电容减少；(b)反向偏压减少，湖南低正向肖特基二极管阵列，湖南低正向肖特基二极管阵列，造成电容增加。电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示**小值、标称值及比较大值，湖南低正向肖特基二极管阵列，这些经常绘在图上。 肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD）。湖南低正向肖特基二极管阵列

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有：普通整流二极管，快恢复二极管，高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管，开关二极管、触发二极管等。硅二极管电压不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。

二极管是用半导体材料(硅、硒、锗等)制成的一种电子器件，它具有单向导电性能，在各种电子电路中，利用二极管和电阻、电容、电感等元器件进行合理的连接，构成不同功能的电路，可以实现对交流电整流、对调制信号检波、限幅和钳位以及对电源电压的稳压等多种功能。我们可提供的二极管类型有：普通整流二极管，快恢复二极管，高效整流二极管、超快恢复二极管、肖特基二极管、瞬态抑制二极管、稳压二极管，开关二极管、触发二极管等。封装类型有：TO-220AB、ITO-220、DO-27、TO-252、SMA、SMB、SMC、DO-41、SMAF、SMBF、SOD-123、SOD-123FL、SOD-323、SOD-323FL、DO-15、DO-27等。

稳压二极管，英文名称Zener diode，又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。 [1]  此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。传统SBD是通过金属与半导体接触而构成。

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按照检测普通二极管正、反向电阻的方法，即可将激光二极管的管脚排列顺序确定。湖南低正向肖特基二极管阵列

桥式整流器是由四只整流硅芯片作桥式连接，外用绝缘朔料封装而成，大功率桥式整流器在绝缘层外添加锌金属壳包封，增强散热。桥式整流器品种多：有扁形、圆形、方形、板凳形（分直插与贴片）等，有GPP与O/J结构之分。比较大整流电流从，比较高反向峰值电压从50V到1600V。全桥的正向电流有、1A、、2A、、3A、5A、10A、20A、35A、50A等多种规格，耐压值（比较高反向电压）有25V、50V、100V、200V、300V、400V、500V、600V、800V、1000V等多种规格。一般桥式整流器（整流桥）命名中有3个数字，***个数字**额定电流，A；后两个数字**额定电压(数字*100)，V。如：KBL407即4A，700V。KBPC5010即50A,1000V（1234567，005、01、02、04、06、08、10分别**电压档的50V，100V，200V，400V，600V，800V，1000V）。 湖南低正向肖特基二极管阵列

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