稳压二极管,英文名称Zener diode,又叫齐纳二极管。利用PN结反向击穿状态,其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象,制成的起稳压作用的二极管。 [1] 此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件.在这临界击穿点上,反向电阻降低到一个很小的数值,在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定,稳压二极管是根据击穿电压来分档的,因为这种特性,稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用,重庆二极管国产替代,重庆二极管国产替代。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用,重庆二极管国产替代,通过串联就可获得更高的稳定电压。稳压管与普通二极管的主要区别在于,稳压管是工作在PN结的反向击穿状态。重庆二极管国产替代
SiC是制作功率半导体器件比较理想的材料,2000年5月4日,美国CREE公司和日本关西电力公司联合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二极管,其正向压降VF在100A/cm2电流密度下为4.9V。这充分显示了SiC材料制作功率二极管的巨大威力。在SBD方面,采用SiC材料和JBS结构的器件具有较大的发展潜力。在高压功率二极管领域,SBD肯定会占有一席之地。 肖特基二极管常见的型号: MBR300100CT MBR400100CT、MBR500100CT、MBR600100CT、MBR30050CT、MBR40050CT、MBR50050CT、MBR60050CT山东通用二极管封装肖特基二极管正向导通门限电压和正向压降都比PN结二极管低(约低0.2V)。
—稳定电压指稳压管通过额定电流时两端产生的稳定电压值。该值随工作电流和温度的不同而略有改变。由于制造工艺的差别,同一型号稳压管的稳压值也不完全一致。例如,2CW51型稳压管的Vzmin为,Vzmax则为。—反向漏电电流指稳压管产生稳定电压时通过该管的电流值。低于此值时,稳压管虽然也能稳压,但稳压效果会变差;高于此值时,只要不超过额定功率损耗,也是允许的,而且稳压性能会好一些,但要多消耗电能。—动态电阻指稳压管两端电压变化与电流变化的比值。该比值随工作电流的不同而改变,一般是工作电流愈大,动态电阻则愈小。例如,2CW7C稳压管的工作电流为5mA时,Rz为18Ω;工作电流为10mA时,Rz为8Ω;工作电流为20mA时,Rz为2Ω;工作电流>20mA则基本维持此数值。—额定功耗由芯片允许温升决定,其数值为稳定电压Vz和允许最大电流Izm的乘积。例如2CW51稳压管的Vz为3V,Izm为20mA,则该管的Pz为60mW。
红外激光没有在条形码扫描仪中得到广泛应用的另一个原因是:操作者在扫描时需要将可见的光线对准条码。既然红外光对于人眼是不可见的扫描仪必须要有另外一个光源照亮条码。激光二极管在构造上的另一个特征是有一个光电感应监视器。除了芯片前端有激光发射出来之外,后端也有一部分激光发射出来。这部分光被位于激光二极管内部的光电感应器所接收,由此产生的信号就可以在二极管密封体后方的一个管脚上得到。这个信号可以被VLD的驱动电路利用,以控制激光能量的大小。***,可视激光二极管的价格非常具有竞争力,*是氦氖激光管价格的几分之一。因此应用在激光条形码扫描仪中,VLD无疑是一种高效低价的解决方法。肖特基对管又有共阴、共阳和串联三种管脚引出方式。
LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向,相位是随机的,激光二极管发出的光子是同方向,同相位。LED的**显着特点是使用寿命长,光电转换效能高。其原下上在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。LD是激光二极管的英文缩写,激光二极管的物理架构是在发光二极管的结间安置一层具有光活性的半导体,其端面经过抛光后具有部分反射功能,因而形成一光谐振腔。半导体雷射二极管的工作原理,理论上与气体雷射器相同。激光二极管在电脑上的CD光驱,激光印表机中的列印头等小功率光电装置中得到了***的应用。二者在原理、架构、效能上的差别。(1)在工作原理上的差别:LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光,而LD是受激辐射复合发光。(2)在架构上的差别:LD有光学谐振腔,使产生的光子在腔内振荡放大,LED没有谐振腔。(3)效能上的差别:LED没有临界值特徴,光谱密度比LD高几个数量级,LED汇出光功率小,发散角大。 稳压管与一般二极管不一样,它的反向击穿是可逆的。山东通用二极管封装
肖特基二极体比较大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大。重庆二极管国产替代
温度系数α如果稳压管的温度变化,它的稳定电压也会发生微小变化,温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数(单位:%/℃)。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿,温度系数是负的;高于6V的属雪崩击穿,温度系数是正的。温度升高时,耗尽层减小,耗尽层中,原子的价电子上升到较高的能量,较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿,因此它的温度系数是负的。雪崩击穿发生在耗尽层较宽电场强度较低时,温度增加使晶格原子振动幅度加大,阻碍了载流子的运动。这种情况下,只有增加反向电压,才能发生雪崩击穿,因此雪崩击穿的电压温度系数是正的。这就是为什么稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的,而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+°C,即温度每升高1°C,其稳压值将升高。对电源要求比较高的场合,可以用两个温度系数相反的稳压管串联起来作为补偿。由于相互补偿,温度系数大大减小,可使温度系数达到℃。—反向漏电流指稳压二极管在规定的反向电压下产生的漏电流。例如2CW58稳压管的VR=1V时,IR=,IR=10uA。 重庆二极管国产替代
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