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肖特基二极管：肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降0.4V左右，杭州超快恢复二极管特点。其多用作高频，杭州超快恢复二极管特点、低压，杭州超快恢复二极管特点、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。隧道二极管又称为江崎二极管，它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管。其优点是开关特性好，速度快、工作频率高，多应用于某些开关电路或高频振荡等电路中。二极管红外线发光的发射强度因发射方向而异。杭州超快恢复二极管特点

光电二极管的主要部分是P-N结，和普通的二极管一样，P-N结属于单向导电的非线性元件，在P-N结中存在一个从N区指向P区的内电场E。在热平衡的条件下(无光照下)，多数载流子(N区的电子和P区的空穴)的扩散作用与少数载流子(N区的空穴和P区的电子)的漂移作用相互抵消，没有净电荷通过P-N结。有光照射在P-N结及附近区域时，如果照射的光子有足够大的能量，那么就会在P-N结及附近区域产生少数光生载流子。少数光生载流子靠扩散作用进入P-N结区，并在内电场E的作用下，电子漂移到N区，空穴漂移到P区，使N区带负电荷，P区带正电荷，进而产生附加电势，我们把这个电势叫做光生电动势。 当有外加偏压，且外加偏压方向与P一结内电场 一致时，光生载流子在势垒区电场作用下漂移过P-N结，形成导电电流。中山瞬变抑制二极管用途二极管当给阳极和阴极加上反向电压时，二极管截止。

二极管的反向电流反向电流是指二极管在常温（25℃）和反向电压作用下，其流过二极管的反向电流。反向电流越小，管子的单方向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10℃，反向电流增大一倍。例如2AP1型锗二极管，在25℃时反向电流若为250μA，温度升高到35℃，反向电流将上升到500μA，依此类推，在75℃时，它的反向电流已达8mA，不失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25℃时反向电流为5μA，温度升高到75℃时，反向电流也不过160μA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。

二极管电路分析思路说明对电路中VD1和VD2作用分析的思路主要说明下列几点：（1）从电路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6两组二极管的电路结构一样，这两组二极管在这一电路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一组二极管电路工作原理即可。（2）集成电路A1的①脚通过电阻R1与三极管VT1基极相连，显然R1是信号传输电阻，将①脚上输出信号通过R1加到VT1基极，由于在集成电路A1的①脚与三极管VT1基极之间没有隔直电容，根据这一电路结构可以判断：集成电路A1的①脚是输出信号引脚，而且输出直流和交流的复合信号。确定集成电路A1的①脚是信号输出引脚的目的是为了判断二极管VD1在电路中的具体作用。二极管工作的上限频率。因二极管与PN结一样，其结电容由势垒电容组成。

二极管种类：恒流二极管（或称定电流二极管，CRD、Current Regulative Diode）被施加顺方向电压的场合，无论电压多少，可以得到一定的电流的元件。通常的电流容量在1~15mA的范围。虽然被称为二极管，但是构造、动作原理都与接合型电场效应电晶体相似。变容二极管施加逆向偏压，二极管PN接合的空乏层厚度会因电压不同而变化，产生静电容量（接合容量）的变化，可当作由电压控制的可变电容器使用。没有机械零件所以可靠度高，普遍应用于压控振荡器或可变电压滤波器，也是电视接收器和行动电话不可缺少的零件。发光二极管（light-emitting diode，LED）施加顺向偏压，可以发光的二极管。由发光种类与特性又有红外线二极管、各种颜色的可见光二极管、紫外线二极管等。面接触型二极管的PN结接触面积大，可以通过较大的电流，也能承受较高的反向电压。开关二极管价格

二极管在收音机中都更为常用。杭州超快恢复二极管特点

开关二极管的势垒电容一般极小，这就相当于堵住了势垒电容这条路，达到了在高频条件下还可以保持好的单向导电性的效果。开关二极管从截止(高阻状态)到导通(低阻状态)的时间叫开通时间；从导通到截止的时间叫反向恢复时间；两个时间之和称为开关时间。一般反向恢复时间大于开通时间，故在开关二极管的使用参数上只给出反向恢复时间。开关二极管的开关速度是相当快的，像硅开关二极管的反向恢复时间只有几纳秒，即使是锗开关二极管，也不过几百纳秒。开关二极管具有开关速度快、体积小、寿命长、可靠性高等特点，普遍应用于电子设备的开关电路、检波电路、高频和脉冲整流电路及自动控制电路中。杭州超快恢复二极管特点

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