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TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS,开路电压波形为1，浙江6600W瞬态抑制二极管失效，浙江6600W瞬态抑制二极管失效，浙江6600W瞬态抑制二极管失效.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。TVS具有体积小、功率大、响应快、无噪声、价格低等诸多优点。浙江6600W瞬态抑制二极管失效

干扰脉冲过去后，TVS又转入反向截止状态。由于在反向导通时，其箝位电压低于电路中其它器件的最高耐压，因此起到了对其它元器件的保护作用。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位时间<1ns。TVS在其散热及功率承受范围内可反复应用于电路的过压保护。TVS根据极性可分为单向和双向TVS。单向TVS一般适用于直流电路，双向TVS一般适用于交流电路中。由于TVS起保护作用响应速度快、使用寿命长、封装多样化，钳位电压低，因此在瞬变电压防护领域有着非常多方面的应用。安徽3000W瞬态抑制二极管厂家SMA/DO-214AC封装的TVS一般有MAJ，P4SMA，TPSMAJ，SMA6J等系列。

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。

8）DO-201封装：1.5KE系列（5000W）、LCE系列；9）R-6/P600封装：3KP系列（3000W）、5KP系列（5000W）、LDP系列（6000W）、15KP系列（15000W）、30KP系列（30000W）；10）NA封装：蓝宝宝浪涌抑制器KA系列；DO-218AB封装：SM5S系列（3600W）、SM6S系列（4600W）、SM8S系列（6600W）、SM8T系列（6600W）；4）SMC/DO-214AB封装：1.5SMC系列（1500W）、SMCJ系列（1500W）、TPSMCJ系列（1500W）、SMDJ系列（3000W）、TPSMDJ系列（3000W）、5.0SMDJ系列（5000W）、TP5.0SMDJ系列（5000W）。做到 TVS 的正确选型与安装，比较好对 TVS 进行降额使用，这样可使 TVS 承受的功率较小。

引发TVS短路的**典型的原因是管芯与内引线组件、底座铜片烧结不良，在烧结界面出现大面积空洞，空洞可能是由于焊料不均匀或粘结界面各层材料玷污、氧化使焊料沾润不良，造成烧焊时焊料与芯片或金属电极没有良好的熔合焊接引起的。空洞面积较大时，电流在烧结点附近汇聚，管芯散热困难，造成热电应力集中，产生局部热点，严重时引起热奔，使器件烧毁。对这些烧毁的器件。进行解剖分析，可以看到有芯片局部较深的熔融:空洞面积较小时，可加速焊料热疲劳，使焊料层会产生疲劳龟裂，引起器件热阻增大，**终导致器件。过热烧毁。多线保护选用TVS 阵列更为有利。安徽3000W瞬态抑制二极管厂家

利用TVS 二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰。浙江6600W瞬态抑制二极管失效

PN结加反向电压时截止如果电源的正极接N区，负极接P区，外加的反向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于反向偏置。则空穴和电子都向远离界面的方向运动，使空间电荷区变宽，电流不能流过，方向与PN结内电场方向相同，加强了内电场。内电场对多子扩散运动的阻碍增强，扩散电流大大减小。此时PN结区的少子在内电场作用下形成的漂移电流大于扩散电流，可忽略扩散电流，PN结呈现高阻性。在一定的温度条件下，由本征激发决定的少子浓度是一定的，故少子形成的漂移电流是恒定的，基本上与所加反向电压的大小无关，这个电流也称为反向饱和电流。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。浙江6600W瞬态抑制二极管失效

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