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比较大峰值脉冲功耗PMPM是TVS能承受的比较大峰值脉冲耗散功率。其规定的试验脉冲波形和各种TVS的PM值，请查阅有关产品手册。在给定的比较大箝位电压下，功耗PM越大，其浪涌电流的承受能力越大；在给定的功耗PM下，箝位电压VC越低，其浪涌电流的承受能力越大。另外，峰值脉冲功耗还与脉冲波形、持续时间和环境温度有关，浙江1500W瞬态抑制二极管封装。而且TVS所能承受的瞬态脉冲是不重复的，器件规定的脉冲重复频率（持续时间与间歇时间之比）为0.01%，浙江1500W瞬态抑制二极管封装，浙江1500W瞬态抑制二极管封装，如果电路内出现重复性脉冲，应考虑脉冲功率的“累积”，有可能使TVS损坏。由于它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流 低、击穿电压偏差 、箝位电压低、无损坏极限、体积小等优点。浙江1500W瞬态抑制二极管封装

对于接口电路来说，为了保护我们的内部电路，都会在信号进入到电路板的连接器处增加TVS，而TVS是由二极管构成的，是二极管就会有结电容，结电容的大小会对信号造成一定的影响，特别是高速信号，而这里给出了建议的结电容大小，以使对信号的影响尽可能的降低，保证能正常的通信。以下对各接口的结电容建议：GPIO接口结电容＜30pF，pushbutton＜30pF，Audio＜10pF，USB2.0＜2.5pF，USB3.0＜0.5pF，USB3.1gen2＜0.3pF，HDMI1.4＜0.7pF，HDMI2.0＜0.5pF，天线＜0.2pF。天津SMC瞬态抑制二极管厂家当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。

这里说的TVS管包括防ESD用的小功率TVS管（本文简称ESD管）和防浪涌用的大功率TVS管（本文简称浪涌管）。这里说的浪涌测试标准指TVS器件规格书上标明的测试标准：IEC61000-4-2Level4ESDProtection——静电测试标准，必须通过，提供测试数据IEC61000-4-4Level4EFTprotection——部分厂家才会提供数据IEC61000-4-5（8/20us）——浪涌测试标准，必须通过，提供测试数据下面是安森美ESD5481MUT5G，用在一般信号线上的ESD管规格书提供的信息，人家一个小管子，完成了三个标准的测试。

过电应力当瞬态脉冲能量超过TVS所能承受能量时会引起TVS器件过电应力损伤，特别是当瞬态脉冲能量达到TVS所能承受能量的数倍时会直接导致TVS器件过电应力烧毁，失效模式表现为短路。过电应力短路失效的TVS芯片在扫描电镜下观察。可发现pn结表面边缘的熔融区域或体内硅片的上表面和下表面的黑斑。试验表明，发生在结表面边缘过电应力短路失效通常是由持续时间极短(ns级)的高能量瞬态脉冲所致，例如:EMP、ESD产生的脉冲:体内过电应力失效通常是由持续时间稍长(us级以上)高能量脉冲所致，例如:电快速瞬变，雷电产生的脉冲。如果高能量瞬态脉冲持续时间介于ns级和μs级之间，则短路可能发生在结边缘表面，也可能发生在体内。箝位时间TC 是TVS两端电压从零到**小击穿电压VBR 的时间。

齐纳击穿：齐纳击穿通常发生在掺杂浓度很高的PN结内。由于掺杂浓度很高，PN结很窄，这样即使施加较小的反向电压（5V以下），结层中的电场却很强（可达2.5×105V/m左右）。在强电场作用下，会强行促使PN结内原子的价电子从共价键中拉出来，形成"电子一空穴对"，从而产生大量的载流子。它们在反向电压的作用下，形成很大的反向电流，出现了击穿。显然，齐纳击穿的物理本质是场致电离。采取适当的掺杂工艺，将硅PN结的雪崩击穿电压可控制在8～1000V。而齐纳击穿电压低于5V。在5～8V之间两种击穿可能同时发生。TVS按用途可分为各种电路都适用的通用型器件和特殊电路适用的**型器件。天津SMC瞬态抑制二极管厂家

TVS允许的正向浪涌电流在T =25℃，T=10ms条件下，可达50～200A 。浙江1500W瞬态抑制二极管封装

反向击穿性PN结加反向电压时，空间电荷区变宽，区中电场增强。反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。反向电流突然增大时的电压称击穿电压。基本的击穿机构有两种，即隧道击穿（也叫齐纳击穿）和雪崩击穿，前者击穿电压小于6V，有负的温度系数，后者击穿电压大于6V，有正的温度系数。雪崩击穿：阻挡层中的载流子漂移速度随内部电场的增强而相应加快到一定程度时，其动能足以把束缚在共价键中的价电子碰撞出来，产生自由电子—空穴对，新产生的载流子在强电场作用下，再去碰撞其它中性原子，又产生新的自由电子—空穴对，如此连锁反应，使阻挡层中的载流子数量急剧增加，像雪崩一样。雪崩击穿发生在掺杂浓度较低的PN结中，阻挡层宽，碰撞电离的机会较多，雪崩击穿的击穿电压高。浙江1500W瞬态抑制二极管封装

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