江苏15000W瞬态抑制二极管原理 上海来明电子供应

TVS的瞬态功率一般以8/20us或10/1000us的波形来衡量。8/20us是雷击浪涌的一种波形通常以内阻2欧姆的一个短路电流波形,上升前沿在8uS,峰值电流下降沿1/2处保持在20uS.即充电1KV输出500A的电流波形.现在较多的已经是组合波模式,即短路电流波形为8/20uS，江苏15000W瞬态抑制二极管原理,开路电压波形为1，江苏15000W瞬态抑制二极管原理.2/50uS..10/1000uS也是一种浪涌波形，江苏15000W瞬态抑制二极管原理,以现在执行的标准是短路电流波形与开路电压波形都需要符合前沿时间10uS半值时间1000uS,内阻10欧姆.即充电1KV输出100A的电压及电流波形。瞬态电压抑制器TVS可以在－55~+150℃之间工作。江苏15000W瞬态抑制二极管原理

1、将TVS二极管加在信号及电源线上，能防止微处理器或单片机因瞬间的脉冲，如静电放电效应、交流电源之浪涌及开关电源的噪音所导致的失灵。2、静电放电效应能释放超过10000V、60A以上的脉冲，并能持续10ms；而一般的TTL器件，遇到超过30ms的10V脉冲时，便会导至损坏。利用TVS二极管，可有效吸收会造成器件损坏的脉冲，并能消除由总线之间开关所引起的干扰（Crosstalk）。3、将TVS二极管放置在信号线及接地间，能避免数据及控制总线受到不必要的噪声影响。江苏15000W瞬态抑制二极管原理TVS发生短路失效，释放出的高能量常常会将保护的电子设备损坏，这是TVS我们极力减少或避免的情况。

当PN结的反向偏压较高时，会发生由于碰撞电离引发的电击穿，即雪崩击穿。存在于半导体晶体中的自由载流子在耗尽区内建电场的作用下被加速其能量不断增加，直到与半导体晶格发生碰撞，碰撞过程释放的能量可能使价键断开产生新的电子空穴对。新的电子空穴对又分别被加速与晶格发生碰撞，如果平均每个电子（或空穴）在经过耗尽区的过程中可以产生大于1对的电子空穴对，那么该过程可以不断被加强，**终达到耗尽区载流子数目激增，PN结发生雪崩击穿。

PN结的单向导电性PN结加正向电压时导通，PN结加正向电压时导通，（1）PN结加正向电压时导通，如果电源的正极接P区，负极接N区，外加的正向电压有一部分降落在PN结区，PN结处于正向偏置。电流便从P型一边流向N型一边，空穴和电子都向界面运动，使空间电荷区变窄，电流可以顺利通过，方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。于是，内电场对多子扩散运动的阻碍减弱，扩散电流加大。扩散电流远大于漂移电流，可忽略漂移电流的影响，PN结呈现低阻性。TVS额定反向关断VWM 应大于或等于被保护电路的最大工作电压。

TVS和稳压管的区别表现在一些方面，***分类不同：TVS管：按极性，可分为单、双极性；按用途，可分为通用型、**型；稳压管：按稳压高低，可分为低压二极管和高压稳压二极管；按材料，可分为N型和P型。用途不同：TVS管：用于瞬态电压保护；TVS管电压精度是在一定范围内；TVS管通流能力能达到几百安；在稳压值当方面，TVS管6.8v-550V；稳压管：对漏极和源极进行箝位保护；精确度方面较高；稳压管的耐浪涌电流小；稳压管电压范围一般为3.3V-75V。DO-41封装的TVS一般有P4KE系列（400W）。江苏15000W瞬态抑制二极管原理

TVS是一种二极管形式的高效能保护器件。江苏15000W瞬态抑制二极管原理

系列名**不同的峰值脉冲功率和封装形式①SMAJ、SMBJ、SMCJ、SMDJ表示贴片封装：分别**的峰值脉冲功率为400W、600W、1500W和3000W；②其它系列名表示同轴引线封装：P4KE为400W、P6KE为600W、1.5KE为1500W，SA为500W、3KP为3000W，其余类推（型号名KP或KPA前面的数字表示kW数）。系列名后的数字**击穿电压标称值或反向断态电压值①P4KE、P6KE、1.5KE系列中**击穿电压标称值（VBR）；②其它系列中**反向断态电压值（VRWM）。A表示单向，CA表示双向。注意：SAC（500W）、LCE（1500W）系列是低电容的TVS管，只有单向，没有双向。江苏15000W瞬态抑制二极管原理

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