辽宁15000W瞬态抑制二极管封装 上海来明电子供应

实际产品中，**常用的浪涌测试波形为1.2/50us和10/700us，如何将TVS承受浪涌功率从10/1000us波形下换算到其他波形呢，这就需要看Spec中的另一个曲线图：通过上图可以查出，1.2/50us波形所对应脉冲宽度50us，对应峰值功率为2200W左右。那么这种情况下，反算脉冲峰值电流为2200W/24.4V=90.16A。如果SMBJ15A放在电源端口，在共模时，浪涌发生器内阻为12欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*12ohm=1082V;如果SMBJ15A放在电源端口，在差模时，浪涌发生器内阻为2欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*2ohm=180.3V;如果SMBJ15A放在非对称信号端口，无论差模共模，浪涌发生器内阻为42欧姆，那么所能承受的电压为：90.16A*42ohm=3786.9V。从上面我们可以看出，辽宁15000W瞬态抑制二极管封装，一个TVS所能承受的比较大浪涌电压，辽宁15000W瞬态抑制二极管封装，辽宁15000W瞬态抑制二极管封装，不仅与自身的参数相关(比较大承受功率、钳位电压等)，也和其在电路的位置息息相关(浪涌发生器的内阻值非常重要)。瞬态电压抑制器TVS可以在－55~+150℃之间工作。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装

车规级TVS与工业级TVS的区别如下：1.级别不同：元器件一般分为**，工业级，民用级这三个级别，市面流通基本都是工业级民用级，车规级很少用于区分级别的，大概介于工业级和**之间。2、工作温度范围不同：一般而言，工业级器件的工作温度范围为-40℃~+85℃，车规级器件则是-40℃~+125℃。3、优势不同：车规级器件比工业级器件有着更好的性能、更强的温度适应能力和抗干扰能力（包括抵抗温度极限、温差变化的能力以及其它可靠性等），车规级器件的优势就体现在它的性能和可靠性上，而这两者之间的主要差异就体现在产品的整个生产、管控以及测试环节。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装TVS 台面缺陷造成的失效常常是批次性的。

在规定的反向应用条件下，当承受一个高能量的瞬时过压脉冲时，其工作阻抗能立即降至很低的导通值，允许大电流通过，并将电压箝制到预定水平，从而有效地保护电子线路中的精密元器件免受损坏。TVS能承受的瞬时脉冲功率可达上千瓦，其箝位响应时间*为1ps（10^-12S）。TVS允许的正向浪涌电流在T=25℃，T=10ms条件下，可达50～200A。双向TVS可在正反两个方向吸收瞬时大脉冲功率，并把电压箝制到预定水平，双向TVS适用于交流电路，单向TVS一般用于直流电路。

参数①最大反向漏电流ID和额定反向关断电压VWM。VWM是TVS比较大连续工作的直流或脉冲电压，当这个反向电压加入TVS的两极间时，它处于反向关断状态，流过它的电流应小于或等于其最大反向漏电流ID。②**小击穿电压VBR和击穿电流IRVBR是TVS**小的雪崩电压。25℃时，在这个电压之前，TVS是不导通的。当TVS流过规定的1mA电流（IR）时，加入TVS两极间的电压为其**小击穿电压VBR。按TVS的VBR与标准值的离散程度，可把TVS分为±5%VBR和±10%VBR两种。对于±5%VBR来说，VWM=0.85VBR；对于±10%VBR来说，VWM=0.81VBR。DO-15封装的TVS一般有SA系列（500W）、P6KE系列（600W）、SAC系列。

TVS管在稳压管工艺基础上发展起来的新产品，是一种新型的高效电路保护器件之一，具有P秒级的响应时间和高浪涌吸收能力；而稳压二极管，利用pn结反向击穿状态，在电流变化范围内，保持电压稳定所研发出来稳压作用的二极管。共同点：在一定范围内，能限制两端的电压；长时间运作耐流值几乎一样，均跟体积功耗相关联。工作原理不同：tvs管：雪崩效应，在高能量的瞬时过压脉冲时，阻抗能立马降低到很低的导通值，允许较大电流通过，并将电压箝制到预定水平，避免电路中的精密元器件免受损坏。稳压管：齐纳隧道效应，当反向电压达到并超过稳定电压时，反向电流突然增大，而二极管两端电压恒定。瞬态电压抑制二极管简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。辽宁1500W瞬态抑制二极管失效

当电路中通过的电流太大，可能会造成TVS炸裂，失效模式为开路。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装

根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏***应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的**，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。辽宁15000W瞬态抑制二极管封装

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