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肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降可以低至。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。在通讯电源、变频器等中比较常见。供参考。电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通讯电源、变频器等中比较常见。肖特基（Schottky）二极管的特点是正向压降VF比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。它也有一些缺点：耐压比较低，漏电流稍大些。选用时要细致考虑。 MBRF20200CT是什么类型的管子？陕西肖特基二极管MBR30100CT
肖特基二极管的基本结构是重掺杂的N型4H-SiC片、4H-SiC外延层、肖基触层和欧姆接触层。由于电子迁移率比空穴高，采用N型Si、SiC或GaAs为材料，以获得良好的频率特性，肖特基接触金属一般选用金、钼、镍、铝等。金属-半导体器件和PiN结二极管类似，由于两者费米能级不同，金属与半导体材料交界处要形成空间电荷区和自建电场。在外加电压为零时，载流子的扩散运动与反向的漂移运动达到动态平衡，这时金属与N型4H-SiC半导体交界处形成一个接触势垒，这就是肖特基势垒。肖特基二极管就是依据此原理制作而成。[2]碳化硅肖特基二极管肖特基接触金属与半导体的功函数不同，电荷越过金属/半导体界面迁移，产生界面电场，半导体表面的能带发生弯曲，从而形成肖特基势垒，这就是肖特基接触。金属与半导体接触形成的整流特性有两种形式，一种是金属与N型半导体接触，且N型半导体的功函数小于金属的功函数；另一种是金属与P型半导体接触，且P型半导体的功函数大于金属的功函数。金属与N型4H-SiC半导体体内含有大量的导电载流子。金属与4H-SiC半导体材料的接触有原子大小的数量级间距时，4H-SiC半导体的费米能级大于金属的费米能级。湖北肖特基二极管MBR30100CT肖特基二极管有哪些优缺点？
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稳压二极管稳压二极管，英文名称Zenerdiode，又叫齐纳二极管。利用pn结反向击穿状态，其电流可在很大范围内变化而电压基本不变的现象，制成的起稳压作用的二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很小的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。稳压二极管可以串联起来以便在较高的电压上使用，通过串联就可获得更高的稳定电压。稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。但是，当反向电压临近反向电压的临界值时，反向电流骤然增大，称为击穿，在这一临界击穿点上，反向电阻骤然降至很小值。尽管电流在很大的范围内变化，而二极管两端的电压却基本上稳定在击穿电压附近，从而实现了二极管的稳压功能。肖特基二极管肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的。MBR30150CT是什么类型的管子？
在高温下能够稳定的工作，它在功率器件领域很有应用前景。目前国际上报道的几种结构：UMOS、VDMOS、LDMOS、UMOSACCUFET，以及SIAFET等。2008年报道的双RESURF结构LDMOS，具有1550V阻断电压.[1]碳化硅肖特基二极管2碳化硅肖特基二极管SBD在导通过程中没有额外载流子的注入和储存，因而反向恢复电流小，关断过程很快，开关损耗小。传统的硅肖特基二极管，由于所有金属与硅的功函数差都不很大，硅的肖特基势垒较低，硅SBD的反向漏电流偏大，阻断电压较低，只能用于一二百伏的低电压场合且不适合在150℃以上工作。然而，碳化硅SBD弥补了硅SBD的不足，许多金属，例如镍、金、钯、钛、钴等，都可以与碳化硅形成肖特基势垒高度1eV以上的肖特基接触。据报道，Au/4H-SiC接触的势垒高度可达到eV，Ti/4H-SiC接触的势垒比较低，但也可以达到eV。6H-SiC与各种金属接触之间的肖特基势垒高度变化比较宽，低至eV，高可达eV。于是，SBD成为人们开发碳化硅电力电子器件首先关注的对象。它是高压快速与低功率损耗、耐高温相结合的理想器件。目前国际上相继研制成功水平较高的多种类的碳化硅器件。[1]SiC肖特基势垒二极管在1985年问世，是Yoshida制作在3C-SiC上的。MBR20200CT是什么类型的管子？重庆肖特基二极管MBR4060PT
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