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关于赛米控赛米控是一家国际的功率半导体制造商。成立于1951年，总部位于德国的赛米控公司是一家在全球有3900名员工的家族式企业。赛米控遍布全球的36家子公司及分�e设在中国、巴西、法国、德国、印度、意大利、韩国、斯洛伐克、南非和美国的生产基地，能够为客户提供快速高效的现场服务。赛米控是芯片、分离半导体器件、晶体管、二极管和晶闸管功率模块、功率集成和系统的一站式供应商，产品用于工业驱动、风能和太阳能发电、混合和电动汽车、火车工业以及电源。赛米控是二极管/晶闸管半导体市场，并且占有全球30％的市场份额。(资料来源:IMS-Research„Theworldwidemarketforpowersemiconductordiscretesandmodules“2011).在欧洲，赛米控接管了一家创新的控制系统开发CompactDynamics公司的大部分业务;又与一家特定应用的控制技术供应商drivetek组成了合资企业；同时又全权接管了主力开发和生产逆变器、直流/直流转换器和充电器的VePOINT公司。这些行动都充分表现了赛米控在混合和电动汽车市场发展的决心和针对该市场开发和生产功率半导体的贡献。产品：SEMITRANS,SEMiX,SKiiP,SEMITOP,MiniSKiiP,SKiMMOSFET模块SEMITOP,SEMITRANS可控硅/二极管模块SEMIPACK,SEMIPACKFast。
空穴收集区8可以处于与第1发射极单元金属2隔离的任何位置，特别的，在终端保护区域的p+场限环也可以成为空穴收集区8，本发明实施例对此不作限制说明。因此，本发明实施例提供的igbt芯片在电流检测过程中，通过检测电阻上产生的电压，得到工作区域的电流大小。但是，在实际检测过程中，检测电阻上的电压同时抬高了电流检测区域的mos沟槽沟道对地电位，即相当降低了电流检测区域的栅极电压，从而使电流检测区域的mos的沟道电阻增加。当电流检测区域的电流越大时，电流检测区域的mos的沟道电阻就越大，从而使检测电压在工作区域的电流越大，导致电流检测区域的电流与工作区域电流的比例关系偏离增大，产生大电流下的信号失真，造成工作区域在大电流或异常过流的检测精度低。而本发明实施例中电流检测区域的第二发射极单元相当于没有公共栅极单元提供驱动，即对于igbt芯片的电子和空穴两种载流子形成的电流，电流检测区域的第二发射极单元只获取空穴形成的电流作为检测电流，从而避免了检测电流受公共栅极单元的电压的影响，以及测试电压的影响而产生信号的失真，即避免了公共栅极单元因对地电位变化造成的偏差，从而提高了检测电流的精度。实施例二：在上述实施例的基础上
江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
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