[VIP第1年] 指数:3
所述电荷存储层14用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区1中进入到所述阱区2中。多个沟槽101，各所述沟槽101穿过所述阱区2和所述电荷存储层14且各所述沟槽101的进入到所述漂移区1中；一个所述igbt器件的单元结构中包括一个栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。所述栅极结构包括形成于一个对应的所述沟槽101中的一屏蔽多晶硅4a和多晶硅栅6的叠加结构，所述一屏蔽多晶硅4a组成一屏蔽电极结构。所述多晶硅栅6位于所述一屏蔽多晶硅4a的顶部，所述一屏蔽多晶硅4a和对应的所述沟槽101的底部表面和侧面之间通过一屏蔽介质层3a隔离3a，所述一屏蔽多晶硅4a和所述多晶硅栅6之间通过多晶硅间介质层5a隔离，所述多晶硅栅6和所述沟槽101的侧面之间通过栅介质层5隔离。所述第二屏蔽电极结构由填充于所述栅极结构两侧的所述沟槽101中的第二屏蔽多晶硅4b组成。所述第二屏蔽多晶硅4b和对应的所述沟槽101的底部表面和侧面之间通过第二屏蔽介质层3b隔离。所述一屏蔽介质层3a和所述第二屏蔽介质层3b的工艺条件相同且同时形成，所述一屏蔽多晶硅4a和所述第二屏蔽多晶硅4b的工艺条件相同且同时形成。
2）IGBT模块的散热器应根据使用条件和环境及IGBT模块参数进行匹配选择，以保证GBT模块工作时对散热器的要求。为了减少接触热阻，推荐在散热器与IGBT模块之间涂上一层很薄的导热硅脂。3）IGBT模块安装到散热片上时，要先在模块的反面涂上散热绝缘混合剂（导热膏），再用推荐的夹紧力距充分旋紧。另外，散热片上安装螺丝的位置之间的平坦度应控制在100μm以下，表面粗糙度应控制在10μm以下。散热器表面如有凹陷，会导致接触热阻（Rth（c—f）的增加。另外，散热器表面的平面度在上述范围以外时，IGBT模块安装时（夹紧时）会给IGBT模块内部的芯片与位于金属基板间的绝缘基板增加应力，有可能产生绝缘破坏。4）IGBT模块底板为铜板的模块，在散热器与IGBT模块均匀受力后，从IGBT模块边缘可看出有少许导热硅脂挤出为佳。IGBT模块底板为DBC基板的模块，散热器表面必须平整、光洁，采用丝网印刷或圆滚滚动的方法涂敷一薄层导热硅脂后，使两者均匀压接。IGBT模块直接固定在散热器上时，每个螺钉需按说明书中给出的力矩旋紧，螺钉一定要受力均匀，力矩不足导致热阻增加或运动中出现螺钉松动。两点安装紧固螺丝时，一个和第二个依次紧固额定力矩的1/3，然后反复多次使其达到额定力矩。
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