[VIP第1年] 指数:3
空穴收集区8可以处于与一发射极单元金属2隔离的任何位置，特别的，在终端保护区域的p+场限环也可以成为空穴收集区8，本发明实施例对此不作限制说明。因此，本发明实施例提供的igbt芯片在电流检测过程中，通过检测电阻上产生的电压，得到工作区域的电流大小。但是，在实际检测过程中，检测电阻上的电压同时抬高了电流检测区域的mos沟槽沟道对地电位，即相当降低了电流检测区域的栅极电压，从而使电流检测区域的mos的沟道电阻增加。当电流检测区域的电流越大时，电流检测区域的mos的沟道电阻就越大，从而使检测电压在工作区域的电流越大，导致电流检测区域的电流与工作区域电流的比例关系偏离增大，产生大电流下的信号失真，造成工作区域在大电流或异常过流的检测精度低。而本发明实施例中电流检测区域的第二发射极单元相当于没有公共栅极单元提供驱动，即对于igbt芯片的电子和空穴两种载流子形成的电流，电流检测区域的第二发射极单元只获取空穴形成的电流作为检测电流，从而避免了检测电流受公共栅极单元的电压的影响，以及测试电压的影响而产生信号的失真，即避免了公共栅极单元因对地电位变化造成的偏差，从而提高了检测电流的精度。实施例二：在上述实施例的基础上。
采用本实用新型ipm模块短路检测电路和现有退饱和检测电路对ipm模块进行短路检测，结果如图3所示，图3中，纵轴vce为ipm模块集电极与发射极之间的电压，横轴为时间，该图中上面的虚线表示ipm模块发生短路故障后，其集电极与发射极之间电压随时间的变化趋势；中间实线表示ipm模块正常工作时，即没有发生短路时，其其集电极与发射极之间电压随时间的变化趋势；底部虚线表示现有退饱和检测电路设置的阈值电压vref随时间的变化趋势；在ipm模块发生短路时，本实用新型ipm模块短路检测电路测试出短路故障所需时间为t1，现有退饱和检测电路测试出短路故障所需时间为t2，从图3中可看出，t2≈2t1，表明本实用新型ipm模块短路检测电路所需检测时间较短，在ipm模块发生短路时能及时关断ipm模块，避免了ipm模块内部芯片发生损坏，提高了ipm模块的可靠性和使用寿命。
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