本发明涉及一种半导体集成电路制造领域,特别是涉及一种igbt器件;本发明还涉及一种igbt器件的制造方法。背景技术:半导体功率器件是电力电子系统进行能量控制和转换的基本电子元器件,电力电子技术的不断发展为半导体功率器件开拓了广泛的应用领域。以绝缘栅双极型晶体管(insulatedgatebipolartransistor,igbt)和金属氧化物半导体场效应晶体管(mosfet)为标志的半导体功率器件是当今电力电子领域器件的主流,其中,igbt器件是一种电压控制的mosfet和双极型三极管(bjt)的复合型器件。从结构上,igbt的结构与垂直双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(vdmos)相似,只是将vdmos的n+衬底换为p+衬底,引入的电导调制效应,克服了vdmos本身固有的导通电阻与击穿电压的矛盾,从而使igbt同时具有双极型功率晶体管和mosfet的共同优点:输入阻抗高、输入驱动功率小、导通压降低、电流容量大、开关速度快等。由于igbt独特的、不可取代的性能优势使其自推出实用型产品便在诸多领域得到广泛的应用,例如:太阳能发电、风力发电、动车、高铁、新能源汽车以及众多能量转换领域。为了进一步降低igbt的导通压降,igbt的栅极结构从平面栅结构优化到沟槽栅结构,沟槽栅igbt将沟道从横向变为纵向。
降低本征JFET的影响,和使用元胞设计几何图形,从而达到以上的目标。对两种1200VNPTIGBT进行比较:一种是其他公司的需负偏置关断的器件,一种是IR公司的NPT单正向栅驱动IRGP30B120KD-E。测试结果表明其他公司的器件在源电阻为56?下驱动时,dV/dt感生电流很大。比较寄生电容的数据,IR器件的三种电容也有减小:输入电容,CIES减小25%输出电容,COES减小35%反向传输电容,CRES减小68%图4寄生电容比较图5显示出IR器件的减小电容与V的关系,得出的平滑曲线是由于减小了JFET的影响。当V=0V时,负偏置栅驱动器件的C为1100pF,IRGP30B120KD-E只有350pF,当VCE=30V时,负偏置栅驱动器件的C为170pF,IRGP30B120KD-E的CRES为78pF。很明显,IRGP30B120KD-E具有非常低的C,因此在相同的dV/dt条件下dV/dt感生电流将非常小。图5IRGP30B120KD-E寄生电容与VCE的关系图6的电路用来比较测试两种器件的电路性能。两者的dV/dt感生电流波形也在相同的dV/dt值下得出。图6dV/dt感生开通电流的测试电路测试条件:电压率,dV/dt=直流电压,Vbus=600V外部栅到发射极电阻Rg=56?环境温度。
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