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所述***氧化层厚度为1000-1200a。进一步地，所述第二氧化层厚度为3000-5000a。进一步地，两个所述沟槽栅结构之间设置有***掺杂区，所述***掺杂区的掺杂类型与所述半导体衬底的类型相反。进一步地，在所述***掺杂区的内表面设置两个第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与***掺杂区的掺杂类型相反，两个所述第二掺杂区分别设置在靠近两个所述沟槽栅结构的一侧，所述***掺杂区和所述第二掺杂区与发射极金属接触。进一步地，所述半导体的底部还设置有缓冲层和集电极，所述集电极设置在比较低层。与现有技术相比，本实用新型的有益效果：本实用新型提供的沟槽栅igbt通过在沟槽内设置两种厚度氧化层，两种厚度氧化层分别为***氧化层和第二氧化层，该第二氧化层厚度大于***氧化层厚度，因为结电容与氧化层的厚度成反比，因此增加氧化层的厚度会降低器件的结电容大小，从而解决了现有技术中沟槽栅igbt结电容大的问题，从而提高了本实用新型的开关特性，使得本实用新型可应用于高频场景。附图说明图1为现有技术中平面栅igbt的示意图；图2为现有技术中沟槽栅igbt的示意图；图3为现有技术中沟槽栅结构制作方法的流程图；图4为本实用新型实施例提供的沟槽栅igbt的示意图。
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