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igbt简介IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块特点IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。IGBT结构上图所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构，N+区称为源区，附于其上的电极称为源极（即发射极E）。N基极称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极（即门极G）。
**摘要本实用新型涉及一种非绝缘双塔型二极管模块，包括底板、二极管芯片、主电极及外壳，二极管芯片的下端面通过下过渡层固定连接在底板上，二极管芯片的上端面通过上渡层与连接桥板的一侧固定连接，连接桥板是具有两个以上折弯的条板，连接桥板的另一侧通过绝缘体固定在底板上，顶部具有定位凹槽的外壳固定在底板上；主电极为两个以上的折边的条板形，主电极的内侧与连接桥板固定连接，主电极的另一侧穿出外壳并覆在外壳顶部，且主电极上设有的过孔与壳体上的定位凹槽对应，上下过渡层、二极管芯片、连接桥板、绝缘体以及主电极一侧的连接区灌注软弹性胶密封。本实用新型在安装以及运行过程中能降低二极管芯片的机械应力和热应力，能提高二极管工作可靠性。文档编号H01L25/11GKSQ0公开日2008年5月21日申请日期2007年7月26日优先权日2007年7月26日发明者刘利峰,王晓宝。
江苏芯钻时代电子科技有限公司，专业从事电气线路保护设备和电工电力元器件模块的服务与销售，具有丰富的熔断器、电容器、IGBT模块、二极管、可控硅、IC类销售经验的专业公司。公司以代理分销艾赛斯、英飞凌系列、赛米控系列，富士系列等模块为主，同时经营销售美国巴斯曼熔断器、 西门子熔断器、美尔森熔断器、力特熔断器等电气保护。
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