[VIP第1年] 指数:3
以避免回路噪声，各路隔离电源要达到一定的绝缘等级要求。3）在连接IGBT电极端子时，主端子电极间不能有张力和压力作用，连接线（条）必须满足应用，以免电极端子发热在模块上产生过热。控制信号线和驱动电源线要离远些，尽量垂直，不要平行放置。4）光耦合器输出与IGBT输入之间在PCB上的走线应尽量短，不要超过3cm。5）驱动信号隔离要用高共模抑制比（CMR）的高速光耦合器，要求tp《μs，CMR》l0kV/μs，如6N137，TCP250等。6）IGBT模块驱动端子上的黑色套管是防静电导电管，用接插件引线时，取下套管应立即插上引线；或采用焊接引线时先焊接再剪断套管。7）对IGBT端子进行锡焊作业的时候，为了避免由烙铁、烙铁焊台的泄漏产生静电加到IGBT上，烙铁前端等要用十分低的电阻接地。焊接G极时，电烙铁要停电并接地，选用定温电烙铁合适。当手工焊接时，温度260℃±5℃，时间（10+1）s。波峰焊接时，PCB要预热80~105℃，在245℃时浸入焊接3~4s。8）仪器测量时，应采用1000电阻与G极串联。在模块的端子部测量驱动电压（VGE）时，应确认外加了既定的电压。9）IGBT模块是在用lC泡沫等导电性材料对控制端子采取防静电对策的状态下出库的。
一个所述igbt器件的单元结构中包括一个所述栅极结构以及形成于所述栅极结构两侧的所述第二屏蔽电极结构，在所述栅极结构的每一侧包括至少一个所述第二屏蔽电极结构。步骤七、如图3e所示，在所述漂移区1表面依次形成电荷存储层14和第二导电类型掺杂的阱区2。所述阱区2位于所述漂移区1表面。所述电荷存储层14位于所述漂移区1的顶部区域且位于所述漂移区1和所述阱区2交界面的底部，所述电荷存储层14具有一导电类重掺杂；所述电荷存储层14用于阻挡第二导电类载流子从所述漂移区1中进入到所述阱区2中。各所述沟槽101穿过所述阱区2和所述电荷存储层14且各所述沟槽101的进入到所述漂移区1中；被所述多晶硅栅6侧面覆盖的所述阱区2的表面用于形成沟道。所述电荷存储层14的掺杂浓度至少大于所述漂移区1的掺杂浓度的一个数量级。步骤八、如图3f所示，采用光刻定义加一导电类型重掺杂离子注入工艺在所述多晶硅栅6两侧的所述阱区2的表面形成发射区7。步骤九、如图3g所示，形成层间膜10。如图1所示，接触孔、正面金属层12，所述接触孔穿过所述层间膜10；对所述正面金属层12进行图形化形成金属栅极和金属源极。所述多晶硅栅6通过顶部对应的接触孔连接到所述金属栅极。
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