[VIP第1年] 指数:3
该igbt芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；其中，igbt芯片还包括一表面和第二表面，且，一表面和第二表面相对设置；一表面上设置有工作区域和电流检测区域的公共栅极单元，以及，工作区域的一发射极单元、电流检测区域的第二发射极单元和第三发射极单元，其中，第三发射极单元与一发射极单元连接，公共栅极单元与一发射极单元和第二发射极单元之间通过刻蚀方式进行隔开；第二表面上设有工作区域和电流检测区域的公共集电极单元；接地区域设置于一发射极单元内的任意位置处；电流检测区域和接地区域分别用于与检测电阻连接，以使检测电阻上产生电压，并根据电压检测工作区域的工作电流。第二方面，本发明实施例还提供一种半导体功率模块，半导体功率模块配置有一方面的igbt芯片，还包括驱动集成块和检测电阻；其中，驱动集成块与igbt芯片中公共栅极单元连接，以便于驱动工作区域和电流检测区域工作；以及，还与检测电阻连接，用于获取检测电阻上的电压。本发明实施例带来了以下有益效果：本发明实施例提供了igbt芯片及半导体功率模块，igbt芯片上设置有：工作区域、电流检测区域和接地区域；其中，igbt芯片还包括一表面和第二表面，且。
该ic芯片与该散热基板的热接口材料层90％以上成分为银，孔隙率小于25％，且厚度为1～15μm。藉此，本发明具有下列功效：1.本发明使用的热接口材料将不会产生任何介金属化合物，故不会因制程(环境)温度而脆化，且在高温下(＜800℃)相当稳定。2.本发明使用的热接口材料在完成热处理后含少量有机物(＜1％)，且99％以上为纯银，故长时间使用下将无有机挥发物(volatileorganiccompounds,voc)产生。3.本发明所使用的热接口材料为纯银，以高纯度银做异质界面接合用材料，其导热系数为锡银铜合金(无铅焊锡)的两倍以上，如表1所示。表1本发明与现有锡银铜合金焊料的比较锡银铜焊料本发明导电率(mω-cm)～(w/m-k)60>2004.本发明不含铅、镉、卤素等毒性物质。5.目前高功率模块的工作温度已上升至150℃，次世代高功率模块的工作温度将上升至200℃，则本发明所使用的热接口材料为纯银，将可取代无铅焊锡的锡银铜合金与传统焊锡的铅锡与银铅锡合金。6.本发明奈米银粒子与微米银粒子的比例为9:1～1:1，且因主要组成银粒子的尺寸为100nm以下的奈米银粒子，故所使用的热处理温度低于250℃，可避免电子组件在封装制程中受到高温而破坏。7.本发明采用全新非接触式探针点胶技术。
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