升压升压转换器-数据表规定了-稳压IC
集成功率MOSFET开关。可实现的实际输出电流的粗略估计是占空比的函数，可以使用以下公式进行估计：IOUT=0.65xISwitch（**小）x（VIN/VOUT）降压升压转换器-ADC/DC转换器必须能够在所有可能的输入电压条件下调节输出电压，无论VIN高于或低于VOUT。
TI的单电感buck-boost变换器在芯片上集成了四个功率MOSFET，以节省空间并在操作模式之间无缝过渡。
分轨变流器-TPS6513x分轨系列的每个成员
转换器（+VOUT1/–VOUT2）从一个输入轨产生调节的正负电源电压。这降低了BOM成本和空间，同时为工业和汽车应用提供了前列的性能，LM2737MTC/NOPB稳压IC。
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集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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TI稳压IC-火棒™ 包裹
热棒封装翻转硅芯片，并将其直接放置在引线框架上，以比较大限度地减少由运行开关电流的引脚上的键合线引起的寄生电感。图16显示了HotRod软件包的结构和优点。
随着功率回路电感的改善，热棒式封装也有助于降低功率路径中的电阻，从而提高效率，同时使较小的解决方案尺寸成为可能。
HotRod封装中设备的另一个好处是，它们有助于并行输入路径引脚，即DC/DC转换器输入电容的布局安排。通过优化DC/DC转换器的引脚，使输入电容器的布局具有对称性，输入功率回路产生的反向磁场位于对称回路内，从而将对附近系统的发射降至比较低。平行输入路径进一步将高频EMI降至比较低，尤其是在**严格的FM频段，如下图17所示。
为减少电源中的电磁干扰而进行的省时、经济高效的创新-IT稳压IC关键技术
随着电子系统变得越来越密集和互连，减少电磁干扰（EMI）的影响成为越来越重要的系统设计考虑因素。
1、什么是EMI？
电磁干扰（EMI）是一种电磁能量，是开关电流和电压产生的不良副产品，它来自各种物理现象，并在严格的电磁干扰测试中表现出来。
2、减少电磁干扰的常规方法
减少电磁干扰是一项充满权衡的努力。减少电磁干扰的传统方法包括使用大型、昂贵的滤波器或降低开关转换率，这是一种直接影响效率的技术。
3、减少电磁干扰的创新
为了实现开关电源的所有优点，降低EMI技术必须解决传统的权衡问题。这需要针对低频和高频EMI的创造性解决方案，以及精确的建模技术。
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DC/DC控制器-稳压IC-输出电流由外部MOSFET设置，这使设计者能够优化效率和性能。坚强的TI控制器中的MOSFET驱动器可以驱动更多的外部MOSFET。电荷泵-TI的低压电荷泵系列--稳压IC提供了一种低噪声解决方案，无需电感器即可提高电压。电荷泵达到90%的峰值效率，对于300mA以下的输出电流非常有用。访问TECH-TREK官网通过简单的提供系统的电压和输出电流。
采用TI***的电源模块产品组合进行设计，可实现宽输入电压和输出电流范围、灵活的封装选项和易于使用的集成解决方案，适用于各种非隔离、工业、医疗和通信应用。
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真回转率控制
尽管有上述技术，在一些设计中，高频EMI（60至250 MHz）可能仍不在规定的标准限值范围内。为了通过行业标准，减轻和提高裕度的一种方法是使用与开关转换器的启动电容串联的电阻器。使用电阻器可以降低开关边缘转换率，从而降低EMI，但会带来效率降低的预期损失。
LM61440-Q1和LM62440-Q1等开关转换器的设计使得可以使用电阻器来选择高侧FET驱动器在开启期间的强度。如下页图22所示，通过RBOOT引脚（teal虚线环）的电流被倍增，并从CBOOT（红色虚线）穿过，以打开高压侧功率MOSFET。通过这样做，电阻器可以控制转换速率，但不会遭受串联启动电阻器运行大部分电流时发生的效率损失。当RBOOT对CBOOT短路时，上升时间很快；开关节点谐波在高于150 MHz之前不会衰减。如果CBOOT和RBOOT通过700Ω保持连接，则在将13.5 V转换为5 V时，回转时间将增加到10 ns。此缓慢上升时间可使开关节点谐波中的能量在大多数情况下在50 MHz附近衰减。
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