图8说明了时域和频域中的这些参数。-稳压IC技术专题
在CISPR 25等标准中，通常会将fm设置在9 kHz左右，以优化低频段，但这恰好也在音频范围内。为了解决这一问题，您可以进一步以伪随机方式调制三角调制，以传播可听能量，而不会对传导和辐射EMI性能产生重大影响。下页的图9说明了时域和频域中的这种调制模式，LM5085QMYX/NOPB稳压IC，这是TPS55165-Q1（同步降压-升压转换器）上的一个功能。
EMI不仅限于单个频带（因此也限于单个RBW），而是多个频带的事实带来了困境，因为扩频通常只能针对单个频带的改进。解决这个问题的一种新方法是一种称为双随机扩频（DRSS）的数字扩频技术。DRS背后的基本原理是叠加两个调制剖面，每个调制剖面针对不同的RBW。有关更多信息，请参阅应用报告“EMI抑制技术，双随机扩频”
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升压稳压器-稳压IC
将输入电压高效转换到更高的输出电压
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我们品类丰富的升压稳压器产品系列包括同步和非同步器件，这些器件能够以高达 96% 的效率满足从几毫安到 100A 等各种应用的需求。我们的产品具有有助于延长电池寿命的低静态电流 (IQ)、实现小尺寸的高功率密度和实现低 EMI 的展频技术等关键特性。您可以找到升压、SEPIC 和反激式解决方案。
按类别分类:
升压控制器（外部开关）
升压转换器（集成开关）
升压模块（集成电感器）
按类型选择
控制器
我们提供灵活的同步和非同步升压控制器以支持更高的功率级别。
我们的低功耗升压转换器可满足您对小尺寸解决方案、低系统成本和高功率密度的需求。
我们的升压模块支持小解决方案尺寸、高功率密度和快速设计。
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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法-稳压IC技术专题
当系统共享公共物理触点时，开关电源中不连续电流产生的输入电压纹波可传导至其他系统。如果没有适当的缓解措施，过大的输入或输出电压纹波可能会危及电源、负载或相邻系统的运行。
传统上，您可以通过使用基于无源电感电容器（LC）的EMI滤波器来**小化输入纹波，如图4所示。LC滤波器提供满足EMI规范所需的衰减。
取舍是根据所需衰减对系统的尺寸和成本进行惩罚，这将降低总体功率密度。而且用于输入EMI滤波器设计的大型电感器由于其较低的自谐振频率而在大于30 MHz的频率下失去衰减，因此需要铁氧体磁珠等附加组件来处理高频衰减。
图10显示了时域中的DRSS调制剖面，三角形包络瞄准较低的RBW，叠加伪随机序列瞄准较高的RBW。
稳压IC技术专题
图11显示了LM5156-Q1的传导发射性能，LM5156-Q1是一种非同步boost控制器，有无DRS。您可以看到150 kHz至30 MHz频段以及30至108 MHz频段的频谱峰值***降低，这是CISPR 25汽车标准的两个关键频段。LM5157-Q1非同步boost转换器还具有DRS功能，并实现类似的性能。
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扩频技术适用于非隔离拓扑和隔离拓扑，因为这两种拓扑的EMI源相似，而频率扩展提供了相同的好处。
带集成变压器的UCC12040和UCC12050隔离DC/DC转换器能够通过CISPR 32 B级EMI测试限值，部分原因是内部扩频技术。
低噪音和精度-TI稳压IC发展趋势
增强电源和信号完整性，以提高系统级保护和准确性。
为了比较大限度地提高系统性能和可靠性，监控、调节和处理电源链中信号的能力至关重要。高精度系统需要精确的低噪声基准，以及低噪声和纹波的供电轨。TI使用**工艺组件和先进的电路和测试技术，以提高精度并将失真降至比较低。
减少和缓解IC错误源
•利用TI高度优化的低噪声互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺，减少工艺的非理想性。
•利用先进的电路和测试技术减少工艺非理想性的影响。
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TI稳压IC的EMI不再是事后诸葛亮，因为它有可能在设计阶段后期造成重大挫折，这将耗费时间和金钱。
开关电源（SMPS）是现代技术中**普遍的电路之一，在大多数应用中，它比线性稳压器的效率有了极大的提高。
但这种效率是有代价的，因为开关电源中的功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的开关使其
是电磁干扰的主要来源，而电磁干扰反过来又会影响可靠性。EMI主要来自不连续的输入电流、开关节点上的快速转换率、，
以及功率环路中寄生电感引起的沿开关边缘的附加振铃。
下页的图1说明了这些元素中的每一个如何使用buck转换器拓扑在不同的频带中表现出来。
例如。随着压力的增加，增加开关频率以减小尺寸和成本，并增加转换率以提高
效率、电磁干扰问题加剧。因此，有必要结合具有成本效益且易于集成的EMI缓解技术不要影响电源设计。
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