TI稳压IC-减少高频发射的创新
到目前为止，我们描述的EMI缓解技术通常会减少低频发射（<30 MHz），相应减少所需的无源滤波量以及相关的尺寸、体积和成本效益。现在，让我们看看设计用于缓解高频发射（>30 MHz）的技术。
火棒™ 包裹
减少高频发射的主要方法之一是非常小化功率回路电感。TI的降压转换器，如LM53635-Q1、LMS3655-Q1、LM61495-Q1，TPS40428RHAT稳压IC、LMR33630-Q1和LM61460-Q1
从键合线封装到基于引线框架的倒装芯片（热棒）封装，有助于降低功率回路电感，TPS40428RHAT稳压IC，进而减少开关节点振铃。
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取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸，针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法。如图15所示，改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层（如黑色所示），用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口，并有助于产生抵消CM电压，使外半初级层的CM注入为零。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流，使从外半初级层注入二次层的CM电流为零。净效应（流入二次层的CM电流接近于零）减少了CM发射，明显帮助设计满足EMI频谱标准，且CM滤波很好小。
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稳压IC-电源发展趋势
查看TI的以下特色产品，了解一些可改善EMI性能的全新***直流/直流转换开关。低静态电流(IQ)具有**静态电流的直流/直流开关稳压器可提高轻负载效率，并延长便携式和电池供电型应用的电池寿命。在我们的以下转换开关产品系列中查找具有**IQ的器件。低噪声和高精度典型的开关稳压器需要使用后置稳压器LDO来为高分辨率ADC和AFE供电。但凭借业界***的噪声和纹波性能，TPS62912和TPS62913可让您在大多数应用中移除该低噪声LDO，从而在提高系统效率的同时减少PCB面积并降低总体成本。
功率MOSFET概述：
TI基于稳压IC的电源管理创新NexFET™技术，与稳压IC完美结合将垂直电流与横向功率MOSFET相结合。它提供了一个低导通电阻，需要极低的栅极电荷和行业标准封装外形，这是以前现有硅平台无法实现的组合。
NexFET技术为N沟道和P沟道提供高性能功率MOSFET器件。设计师能够实现90%的供电高输出电流和低占空比，从轻负载到全负载的效率，**了离散设计的突破。
功率MOSFET，稳压IC主要包括：N沟道MOSFET晶体管和 P沟道MOSFET晶体管。
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集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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稳压IC的EMI，除了了解特定应用的适当标准外，了解如何测量EMI也很重要，因为这些知识将使您深入了解如何减少EMI。EMI测量通常分为传导和辐射，这揭示了测量方法和EMI的产生方式。虽然传导发射通常与较低频率（<30 MHz）相关，而辐射发射通常与较高频率（>30 MHz）相关，但两者之间的区别并不那么简单，因为传导和辐射频率范围确实重叠。
传导发射测量旨在量化设备产生并返回其电源的EMI。重要的是：减少许多应用中的这些排放，因为其他敏感电路通常连接到相同的电源线。在处理现代汽车中数量不断增加的长线束时，降低传导电磁干扰尤为重要。
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