包裹散热-稳压IC知识
•热棒™ 包装材料
•增强型热棒QFN，支持热垫
HotRodTM封装消除了键合线，同时保持了优异的热性能。
支持小型无源器件的拓扑和电路
•多电平变流器拓扑
•高级功率级门驱动器
多级拓扑结构可实现更小的磁性。
集成比较大限度地减少寄生并减少系统占用F
•MicroSiP 3D模块集成
•具有低回路电感的GaN和驱动器多芯片模块（MCM）
GaN+栅驱动器MCM可减少寄生，提高功率密度。
支持3D集成的MicroSiP软件包。
Tech-Trekt提供全系列TI稳压IC，LM5116MH/NOPB稳压IC。
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稳压IC的EMI，除了了解特定应用的适当标准外，了解如何测量EMI也很重要，因为这些知识将使您深入了解如何减少EMI。EMI测量通常分为传导和辐射，这揭示了测量方法和EMI的产生方式。虽然传导发射通常与较低频率（<30 MHz）相关，而辐射发射通常与较高频率（>30 MHz）相关，但两者之间的区别并不那么简单，因为传导和辐射频率范围确实重叠。
传导发射测量旨在量化设备产生并返回其电源的EMI。重要的是：减少许多应用中的这些排放，因为其他敏感电路通常连接到相同的电源线。在处理现代汽车中数量不断增加的长线束时，降低传导电磁干扰尤为重要。
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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法2-稳压IC技术专题
另一种缓解EMI的传统方法是使用扩频（或时钟抖动）来调制开关电源的开关频率，这将减少与基本开关频率及其谐波相关的频谱峰值，但以增加噪声地板为代价，如图5所示。
扩频技术是一种很有吸引力的技术，因为它易于实现，而且您可以将其与其他EMI降低方法结合使用。然而，它并不是***的，因为它只能相对减少现有的电磁干扰，而且本质上，它的性能随着开关频率的降低而降低。此外，您传统上只能将扩频应用于单个频带，原因我们将在下一节中探讨。
集成输入旁路电容器
如前所述，由于开关节点振铃的增加，大输入功率环路在高频段会导致更高的发射。
在设备封装内集成高频输入去耦电容器有助于将输入回路寄生降至比较低，从而减少EMI。
该技术用于LMQ62440-Q1降压转换器，如下图20所示。除了减少输入功率回路电感外，输入高频电容器的封装集成还有助于使解决方案更不受终端系统电路板布局变化的影响。
下页的图21比较了LMQ62440-Q1的辐射EMI（相同板上的相同条件），包括集成和不集成旁路电容器。结果表明，在**严格的电视频段（200至230 MHz）内，发射降低了9 dB，这有助于系统保持在行业标准设定的EMI限值下，而无需在电路板上安装其他组件。
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高压电源-稳压IC：
交流/直流和隔离直流/直流MOSFET和IGBT栅极驱动器TI的100多个门驱动器产品组合提供了业界**快的开关电源，同时满足了各种规格。优点包括在高开关频率下具有快速开启/关闭时间的稳健设计，可减少功率损耗并实现更好的系统性能。TI的门驱动器系列包括低压侧驱动器、半桥驱动器和隔离驱动器。
UCC2751x和UCC2752x
•选定产品的版本
•AEC-Q100适用于部分产品
•非对称驱动和分离输出选项可在选定的单通道驱动器上使用
•前列的传播延迟和与MOSFET功率开关更高的VDD兼容性
•两个系列都具有TTL和CMOS输入阈值
UCC27531，UCC27531-Q1
•可采用D和DBV包装
•FET和IGBT单栅驱动器
•2.5A和5A，35V比较大VDD
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功率密度
在更小的空间实现更大的功率，以更低的系统成本增强系统功能随着功率需求的增加，电路板面积和高度正在成为限制因素。电力设计师必须在应用中加入更多的电路，以使其产品与众不同，同时提高效率和热性能。现在，使用TI的先进工艺、封装和电路设计技术，可以以更小的外形尺寸实现更高的功率水平。
产生较少热量的设备
•业界先进的功率处理节点，适用于<100 V
•600-V氮化镓（GaN）器件具有很好的开关性能
热图像比较了更高的效率对温升的影响。
LM5116MH/NOPB稳压IC
深圳市特克电子技术有限公司是一家有着先进的发展理念，先进的管理经验，在发展过程中不断完善自己，要求自己，不断创新，时刻准备着迎接更多挑战的活力公司，在广东省等地区的电子元器件中汇聚了大量的人脉以及客户资源，在业界也收获了很多良好的评价，这些都源自于自身的努力和大家共同进步的结果，这些评价对我们而言是最好的前进动力，也促使我们在以后的道路上保持奋发图强、一往无前的进取创新精神，努力把公司发展战略推向一个新高度，在全体员工共同努力之下，全力拼搏将共同深圳市特克电子供应和您一起携手走向更好的未来，创造更有价值的产品，我们将以更好的状态，更认真的态度，更饱满的精力去创造，去拼搏，去努力，让我们一起更好更快的成长！
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