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UCC38C43P稳压IC 深圳市特克电子供应

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所在地: 广东省
***更新: 2023-05-23 00:14:42
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产品详细说明

取消绕组-TI稳压IC技术专题
为了帮助很好小化无源滤波的尺寸,针对高功率密度5至20伏交流/直流适配器的65瓦有源箝位反激式硅场效应晶体管参考设计采用了隔离转换器特有的基于消除绕组和屏蔽的方法,UCC38C43P稳压IC。如图15所示,改进后的内部变压器结构在内部一次和二次层之间插入了一个额外的辅助绕组层(如黑色所示),用于CM平衡。辅助CM平衡层屏蔽了内半初级到次级接口,并有助于产生抵消CM电压,使外半初级层的CM注入为零,UCC38C43P稳压IC。均衡辅助绕组和一次外层到二次层的寄生电容有助于通过从抵消层推送反相CM电流,使从外半初级层注入二次层的CM电流为零,UCC38C43P稳压IC。净效应(流入二次层的CM电流接近于零)减少了CM发射,明显帮助设计满足EMI频谱标准,且CM滤波很好小。

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降低低频和高频范围内电磁干扰的常规方法-稳压IC技术专题
当系统共享公共物理触点时,开关电源中不连续电流产生的输入电压纹波可传导至其他系统。如果没有适当的缓解措施,过大的输入或输出电压纹波可能会危及电源、负载或相邻系统的运行。
传统上,您可以通过使用基于无源电感电容器(LC)的EMI滤波器来**小化输入纹波,如图4所示。LC滤波器提供满足EMI规范所需的衰减。
取舍是根据所需衰减对系统的尺寸和成本进行惩罚,这将降低总体功率密度。而且用于输入EMI滤波器设计的大型电感器由于其较低的自谐振频率而在大于30 MHz的频率下失去衰减,因此需要铁氧体磁珠等附加组件来处理高频衰减。

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取消绕组-TI稳压IC技术专题

与非隔离变流器不同,隔离边界上的额外发射路径是隔离变流器***模(CM)EMI的关键原因。下页的图14显示了标准反激变换器中隔离变压器上存在的寄生电容。CM电流可通过与每个开关节点相关的寄生电容直接从一次侧流向接地。由于绕组之间的寄生电容,CM电流也从初级流向次级,导致测量的CM EMI增加。按照惯例,您可以通过在输入功率路径中使用大型CM扼流圈来衰减这种额外干扰。

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稳压IC专题

由于DC/DC转换器的功率路径中存在寄生电感,高转换率还会导致高频开关节点振铃,从而进一步增加振铃频率及以上的发射。 电源稳压IC,就选特克集团,原厂现货!专业产品顾问为您服务!


下页的图7显示了切换节点上的转换速率和相关振铃如何影响排放。限制开关转换引起的EMI发射的传统方法是通过在开关设备的栅极驱动路径中添加有意的电阻来降低它们的速度。这会导致转换速度变慢,导致更快的发射衰减,并在振铃频率下减少8到10 dB的发射。然而,这种开关边缘的减速会导致开关转换器的峰值电流效率降低2%-3%。

具有TILDO的处理器-稳压IC

在FPGA和处理器中,开关噪声会威胁性能。TI的稳压IC-LDO为当今的处理器和FPGA提供干净、准确和高效的电源。高PSRRLDO消除纹波,提供高输出精度(比较大1%),并提供250mV及以下的低压差。它们还具有***的电压范围和小型、坚固的封装,适用于许多应用。使用高性能AEC-Q100LDO增强您的汽车电源稳压ICTI的AEC-Q100LDO通过低IQ、低噪音、高PSRR、反向电池和电流保护等功能优化您的汽车应用,以提供可靠、清洁的电源。 电源稳压IC,就选特克就够了,原厂现货!专业顾问支持!专业产品顾问为您服务!LM25122QPWPRQ1稳压IC

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功率密度

在更小的空间实现更大的功率,以更低的系统成本增强系统功能随着功率需求的增加,电路板面积和高度正在成为限制因素。电力设计师必须在应用中加入更多的电路,以使其产品与众不同,同时提高效率和热性能。现在,使用TI的先进工艺、封装和电路设计技术,可以以更小的外形尺寸实现更高的功率水平。
产生较少热量的设备
•业界先进的功率处理节点,适用于<100 V
•600-V氮化镓(GaN)器件具有很好的开关性能


热图像比较了更高的效率对温升的影响。


UCC38C43P稳压IC

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